︿
Top

獨特電漿放電技術專利侵權,Zond, Inc.控告瑞薩電子

瀏覽次數:1009| 歡迎推文: facebook twitter wechat twitter twitter

科技產業資訊室 (iKnow) - 倪君凱 發表於 2013年7月22日

2013年7月8日,Zond, Inc.(以下簡稱為Zond公司),在美國馬薩諸塞州地方法院(U.S. Massachusetts District Court),以本身所擁有的八件專利,向Renesas Electronics Corporation(瑞薩電子公司)以及Renesas Electronics America, Inc. (瑞薩電子美國分公司)(以下簡稱為被告公司)提起專利侵權訴訟案,指稱上述被告公司所生產、銷售、使用的產品侵害其專利。

本案的原告Zond公司註冊於美國德拉瓦州,其成立於2002年,為一家技術研發公司,旗下有一間子公司Zpulser, LLC,專門生產、銷售運用其專利技術的獨特高功率電漿(或稱「等離子體」)產生器(unique high-power plasma generators)相關產品。

本案的被告公司,瑞薩電子公司及瑞薩電子美國分公司,為NEC電子以及瑞薩科技合併後所成立的新公司。前述瑞薩科技與NEC電子原本為子母公司關係,後來兩者整合為一,成立了瑞薩電子公司。瑞薩電子公司為移動、汽車及個人電腦/AV(音頻視頻)市場提供領先半導體系統解決方案的全球供應商之一,也是全球首屈一指的微控制器供應商。該公司是LCD驅動器積體電路、智慧卡微控制器、射頻積體電路(RF-IC)、大功率放大器、混合信號積體電路、系統級晶片(SoC)、系統級封裝(SiP)等產品的領先供應商,其總部位於日本東京,在全球大約20個國家擁有製造、設計和銷售業務網路,有大約25,000名員工。

Zond公司於本次訴訟中,主張受到上述被告公司侵害的專利包括有以下八件:

  • 美國第7,811,421號專利,名稱為「High deposition rate sputtering」(高沉積速率濺射),發明人為Chistyakov,申請號為11/183,463,獲准日為10/12/2010。共有48個專利項,其中6個為獨立項。
  • 美國第6,853,142號專利,名稱為「Methods and apparatus for generating high-density plasma」(用於產生高密度的電漿的方法和裝置),發明人為Chistyakov,申請號為10/065,629,獲准日為2/8/2005。共有43個專利項,其中6個為獨立項。
  • 美國第7,808,184號專利,名稱為「Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities」(用於在游離不穩定性下產生強離子化的電漿的方法和裝置),發明人為Chistyakov,申請號為11/465,574,獲准日為10/5/2010。共有20個專利項,其中2個為獨立項。
  • 美國第8,125,155號專利,名稱為「Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities」(用於在游離不穩定性下產生強離子化的電漿的方法和裝置),發明人為Chistyakov,申請號為12/870,388,獲准日為2/28/2012。共有19個專利項,其中2個為獨立項。
  • 美國第7,604,716號專利,名稱為「Methods and apparatus for generating high-density plasma」(用於產生高密度的電漿的方法和裝置),發明人為Chistyakov,申請號為10/897,257,獲准日為10/20/2009。共有33個專利項,其中4個為獨立項。
  • 美國第7,147,759號專利,名稱為「High-power pulsed magnetron sputtering」(高功率脈衝磁控濺射),發明人為Chistyakov,申請號為10/065,277,獲准日為12/12/2006。共有50個專利項,其中3個為獨立項。
  • 美國第6,805,779號專利,名稱為「Plasma generation using multi-step ionization」(用多步離子化的電漿生成),發明人為Chistyakov,申請號為10/249,202,獲准日為10/19/2004。共有46個專利項,其中9個為獨立項。
  • 美國第6,806,652號專利,名稱為「High-density plasma source using excited atoms」(使用激發原子的高密度電漿源),發明人為Chistyakov,申請號為10/249,844,獲准日為10/19/2004。共有35個專利項,其中3個為獨立項。

以上幾件專利的發明人Chistyakov,是Zond公司的共同創辦人及總裁,而以上專利主要涉及了一種強電離電漿的獨特電漿放電技術之生成、使用及/或應用。

Zond公司在訴狀中指稱,被告公司在生產其28nm或更小節點(Nodes)的微控制器產品時,使用了Zond公司受專利保護的獨特電漿放電技術。具體而言,瑞薩科技的28nm節點侵權晶片,包括但不限於,微控制器、DRAM存儲器裝置,或其他由CMOS設備、SoC裝置以及其他半導體所集成的電路。侵權產品包括但不限於以下型號:內嵌有DRAM (“eDRAM”)、多標準的射頻接收機、類比數位轉換器(“ADC”)等的型號為MP 5232的通訊處理器。

Zond公司於7月8日提出本訴之後,隔日,Zond公司又以相同的系爭專利向日本富士通集團提訴。而在這之前,Zond公司即曾以相同系爭專利,已陸續對多家大廠提告過,包括:Toshiba America Electronic Components、SK Hynix, Inc.、Intel Corporation、Advanced Micro Devices, Inc.、Gillette Company等。

Zond公司提告的侵權產品各有所不同,然經研究後發現,Zond公司所提告的產品,大致上具有製程上利用強離子化電漿來形成微小節點的特徵,尤其是包括由CMOS設備、SoC裝置以及其他半導體所集成電路之產品。

或許是基於「各別擊破」的戰略考量,現階段Zond公司採取分別、逐一提告方式。然而,在引用系爭專利相同的情況下,不排除未來法院將合一審理。(1460字;表1)

表一、專利訴訟案件基本資料:

訴訟名稱 Zond, Inc. v. Renesas Electronics Corporation et al
提告日期 2013年7月8日
原告 Zond, Inc.
被告 Renesas Electronics Corporation and Renesas Electronics America, Inc.
案號 1:2013cv11625
訴訟法院 Massachusetts District Court
系爭專利 7,811,421 、6,853,142 、7,808,184 、8,125,155 、7,604,716 、7,147,759 、6,805,779 、6,806,652
訴狀下載 download.gif

Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2013/7/17

 


 
歡迎來粉絲團按讚!
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1.科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述,僅為提供更多訊息,也不構成任何投資建議。
2.著作權所有,非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載,本中心保留一切法律追訴權利。