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2013年7月9日，Zond, Inc.(以下簡稱為Zond公司)，在美國馬薩諸塞州地方法院(U.S. Massachusetts District Court)，以本身所擁有的八件專利，向Fujitsu Limited(富士通股份有限公司), Fujitsu Semiconductor Limited(富士通半導體有限公司)以及Fujitsu Semiconductor America, Inc.( 富士通半導體美國公司)(以下簡稱為被告公司)提起專利侵權訴訟案，指稱上述被告公司所生產、銷售、使用的產品侵害其專利。
本案原告Zond公司註冊於美國德拉瓦州，旗下有一間子公司Zpulser, LLC，專門生產、銷售運用其專利技術的獨特高功率電漿(或稱 「 等離子體 」 )產生器(unique high-power plasma generators)相關產品。
本案被告公司，皆為富士通集團內的子、母公司。富士通是日本國內首屈一指的電子企業，其以「 富士通訊機製造 」 的名稱成立於1935年，目前已成為擁有多達約158,000名員工的跨國企業，所提供的技術、產品廣泛涉及了半導體、電腦（超級電腦、個人電腦、伺服器）、通訊裝置等等領域。
本案原告Zond公司針對被告公司所涉及的半導體領域中關於電漿產生裝置(plasma generator)的一部分產品及業務。
Zond公司所主張受到侵害的專利包括有以下八件：
- 美國第7,811,421號專利，名稱 「 High deposition rate sputtering 」 ( 「高沉積率濺射 」 )，發明人為Chistyakov，申請號為11/183,463，獲准日為2010年10月12日。共有48個專利項，其中6個為獨立項。
- 美國第6,853,142號專利，名稱為「 Methods and apparatus for generating high-density plasma 」 (「用於產生高密度電漿的方法和裝置 」 )，發明人為Chistyakov，申請號為10/065,629，獲准日為2005年2月8日。共有43個專利項，其中6個為獨立項。
- 美國第7,808,184號專利，名稱為「 Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities 」 (「用於在水中的游離不穩定下產生強離子化的電漿的方法和裝置 」 )，發明人為Chistyakov，申請號為11/465,574，獲准日為2010年10月5日。共有20個專利項，其中2個為獨立項。
- 美國第8,125,155號專利，名稱為 「Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities 」 ( 「用於在水中的游離不穩定下產生強離子化的電漿的方法和裝置 」 )，發明人為Chistyakov，申請號為12/870,388，獲准日為2012年2月28日。共有19個專利項，其中2個為獨立項。
- 美國第7,604,716號專利，名稱為 「Methods and apparatus for generating high-density plasma 」 ( 「用於產生高密度電漿的方法和裝置 」 )，發明人為Chistyakov，申請號為10/897,257，獲准日為2009年10月20日。共有33個專利項，其中4個為獨立項。
- 美國第7,147,759號專利，名稱為 「 High-power pulsed magnetron sputtering 」 ( 「高功率脈衝磁控濺射 」 )，發明人為Chistyakov，申請號為10/065,277，獲准日為2006年12月12日，共有50個專利項，其中3個為獨立項。
- 美國第6,805,779號專利，名稱為 「 Plasma generation using multi-step ionization 」 ( 「 採用多步電離的電漿發生 」 )，發明人為Chistyakov，申請號為10/249,202，獲准日為2004年10月19日。共有46個專利項，其中9個為獨立項。
- 美國第6,806,652號專利，名稱為「 High-density plasma source using excited atoms 」 ( 「 運用激發原子之高密度電漿源 」 )，發明人為Chistyakov，申請號為10/249,844，獲准日為2004年10月19日。共有35個專利項，其中3個為獨立項。
以上幾件專利，主要界定了如何在電漿產生裝置中有效率地產生高品質電漿的技術以及裝置，並消除產生過程中一些不利因素，例如，在排除電弧放電的不利影響之下，有效利用電壓上升時間、幅度及/或持續時間，來生成並使用強離子化的電漿。
訴狀中指稱，被告公司的侵權產品至少包括了用於32及28 nm積體電路製程的電漿產生裝置設備，至少包括：於沉積程序中生成並運用了強離子化電漿，以令電漿形成32及28nm或更小節點的由互補金屬氧化物半導體元件(Complimentary Metal-Oxide Semiconductor devices)、類比數位轉換元件(analog to digital converters)、特定應用集成電路(application specific integrated circuit)等等所構成之積體電路的設備、及相應控制晶片。
另外，7月9日對Fujitsu提告以前，Zond以相同系爭專利，已陸續對多家大廠提告過，被告的大廠有：Renesas Electronics Corporation、Toshiba America Electronic Components、SK Hynix, Inc.、Intel Corporation、Advanced Micro Devices, Inc.、Gillette Company等。
發明人Roman Chistyakov 同時也是Zond公司創辦人。(1267字；表1)
表一、專利訴訟案件基本資料：
| 訴訟名稱 |
Zond, Inc. v. Fujitsu Limited et al |
| 提告日期 |
2013年7月9日 |
| 原告 |
Zond, Inc. |
| 被告 |
Fujitsu Limited, Fujitsu Semiconductor Limited and Fujitsu Semiconductor America, Inc. |
| 案號 |
1:2013cv11634 |
| 訴訟法院 |
Massachusetts District Court |
| 系爭專利 |
7,811,421、6,853,142、7,808,184、8,125,155、7,604,716、7,147,759、6,805,779、6,806,652 |
| 訴狀下載 |
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Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2013/7/16
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