2013年6月21日，總部設立於新竹的台灣半導體公司MemSmart Semiconductor Corp.(微智半導體股份有限公司;下稱MemSmart)於美國德州東區地方法院馬歇爾分院，對總部位於美國加州的AppleInc.(下稱Apple)提起專利侵權訴訟，指控Apple設備使用的懸浮微結構技術侵犯其專利權，要求法院核發永久禁制令、損害賠償，以及訴訟律師費之補償等。
本案系爭專利為美國專利標號US 7,829,364，名稱為微型懸浮結構及其製造方法(Method of fabricating a suspension microstructure)，是一種懸浮微結構技術的方案，如果設備採用了該技術可以有效的防止不必要的腐蝕和曝露，從而減少封裝成本。2008年10月2日提出申請，2010年11月9日獲證，發明人為陳曉翔，相對應的專利家族有台灣專利編號I340121。
據MemSmart網站所載，MemSmart於2006年成立，主要技術為微機電感測元件(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)、微感測類比介面電路、後製程處理技術、量產流程整合之研發與設計等。
本案涉及半導體結構的製造方法，指控的產品為Apple的智慧型手機，研判應為晶片的製程，這部分據了解主要廠商為台積電或三星，這對於MemSmart要證明該半導體製程是在美國境內完成，並且是使用MemSmart專利所述的方法，有相當程度的難度。(860字；表2)
表一、系爭專利解析
| US 7,829,364claim1 |
TW I340121專利範圍第16項 |
A method for fabricating a suspension microstructure comprising the steps of:
forming an insulation layer including inner micro-electro-mechanical structures on an upper surface of a silicon substrate, the micro-electro-mechanical structure including at least one microstructure and a plurality of metal circuits that are independent from each other, the micro-electro-mechanical structures having an exposed portion on a surface of the insulation layer, the exposed portion being provided with through holes correspondingly to predetermined etching spaces of the micro-electro-mechanical structures, which only penetrates the insulation layer without contacting the micro-electro-mechanical structures;
next, forming a photoresist with an opening on the insulation layer, the opening of the photoresist being located outside the through holes of the exposed portion;
subsequently, conducting an etching from the through holes of the exposed portion downwards to form etching spaces which only penetrate the insulation layer, the microstructures of the micro-electro-mechanical structures being clad in the insulation layer; and
realizing suspension of the microstructures by etching. |
一種微型懸浮結構製造方法，包括下述步驟：於一矽基底上表面形成內具微機電結構的絕緣層，該微機電結構包含彼此獨立的至少一微結構與數個金屬電路，該微機電結構於具有外露部份及內藏部份，其相對應微機電結構之間預期蝕刻空間設有通孔，該內藏部份所在位置較低，該內藏部份位於通孔預期蝕刻空間內，且預期蝕刻空間僅通過該絕緣層，而未接觸該微機電結構；在絕緣層及外露部份上表面製作具有一開口之光阻，該開口位於該外露部份的所有通孔外側；接著依序從該外露部份的通孔向下進行蝕刻，在絕緣層內會形成蝕刻空間，由於內藏部份所在位置較低，且其位於通孔預期蝕刻空間內，故內藏部份上方會蝕刻形成一沈陷空間，該蝕刻空間及沈陷空間僅通過絕緣層，而蝕刻空間及沈陷空間不會接觸微機電結構；將該光阻的開口內外露之外露部份及內藏部份去除；以及朝向矽基底蝕刻出預設的空間，並且令該微機電結構的微結構懸浮。 |
|
|
表二、專利訴訟案件基本資料：Memsmart Semiconductor Corp. v. Apple
| 訴訟名稱 |
Memsmart Semiconductor Corp. v. Apple |
| 提告日期 |
2013年6月21日 |
| 原告 |
MemSmart Semiconductor Corp. |
| 被告 |
Apple Inc. |
| 案號 |
2:13-cv-518 |
| 訴訟法院 |
United States District Court Eastern District of TexasMarshall Division |
| 系爭專利 |
US 7,829,364 |
| 系爭產品 |
iPhone 4 |
| 訴狀下載 |
 |
Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2013/07/3
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------