︿
Top

微型懸浮結構專利訴訟,台灣MemSmart控告Apple公司

瀏覽次數:671| 歡迎推文: facebook twitter wechat twitter twitter

科技產業資訊室 (iKnow) - LCL 發表於 2013年7月3日

2013年6月21日,總部設立於新竹的台灣半導體公司MemSmart Semiconductor Corp.(微智半導體股份有限公司;下稱MemSmart)於美國德州東區地方法院馬歇爾分院,對總部位於美國加州的AppleInc.(下稱Apple)提起專利侵權訴訟,指控Apple設備使用的懸浮微結構技術侵犯其專利權,要求法院核發永久禁制令、損害賠償,以及訴訟律師費之補償等。

本案系爭專利為美國專利標號US 7,829,364,名稱為微型懸浮結構及其製造方法(Method of fabricating a suspension microstructure),是一種懸浮微結構技術的方案,如果設備採用了該技術可以有效的防止不必要的腐蝕和曝露,從而減少封裝成本。2008年10月2日提出申請,2010年11月9日獲證,發明人為陳曉翔,相對應的專利家族有台灣專利編號I340121。

據MemSmart網站所載,MemSmart於2006年成立,主要技術為微機電感測元件(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)、微感測類比介面電路、後製程處理技術、量產流程整合之研發與設計等。

本案涉及半導體結構的製造方法,指控的產品為Apple的智慧型手機,研判應為晶片的製程,這部分據了解主要廠商為台積電或三星,這對於MemSmart要證明該半導體製程是在美國境內完成,並且是使用MemSmart專利所述的方法,有相當程度的難度。(860字;表2)

表一、系爭專利解析

US 7,829,364claim1 TW I340121專利範圍第16項
A method for fabricating a suspension microstructure comprising the steps of:
forming an insulation layer including inner micro-electro-mechanical structures on an upper surface of a silicon substrate, the micro-electro-mechanical structure including at least one microstructure and a plurality of metal circuits that are independent from each other, the micro-electro-mechanical structures having an exposed portion on a surface of the insulation layer, the exposed portion being provided with through holes correspondingly to predetermined etching spaces of the micro-electro-mechanical structures, which only penetrates the insulation layer without contacting the micro-electro-mechanical structures;
next, forming a photoresist with an opening on the insulation layer, the opening of the photoresist being located outside the through holes of the exposed portion;
subsequently, conducting an etching from the through holes of the exposed portion downwards to form etching spaces which only penetrate the insulation layer, the microstructures of the micro-electro-mechanical structures being clad in the insulation layer; and
realizing suspension of the microstructures by etching.
一種微型懸浮結構製造方法,包括下述步驟:於一矽基底上表面形成內具微機電結構的絕緣層,該微機電結構包含彼此獨立的至少一微結構與數個金屬電路,該微機電結構於具有外露部份及內藏部份,其相對應微機電結構之間預期蝕刻空間設有通孔,該內藏部份所在位置較低,該內藏部份位於通孔預期蝕刻空間內,且預期蝕刻空間僅通過該絕緣層,而未接觸該微機電結構;在絕緣層及外露部份上表面製作具有一開口之光阻,該開口位於該外露部份的所有通孔外側;接著依序從該外露部份的通孔向下進行蝕刻,在絕緣層內會形成蝕刻空間,由於內藏部份所在位置較低,且其位於通孔預期蝕刻空間內,故內藏部份上方會蝕刻形成一沈陷空間,該蝕刻空間及沈陷空間僅通過絕緣層,而蝕刻空間及沈陷空間不會接觸微機電結構;將該光阻的開口內外露之外露部份及內藏部份去除;以及朝向矽基底蝕刻出預設的空間,並且令該微機電結構的微結構懸浮。
pclass_13_A204.gif

 

表二、專利訴訟案件基本資料:Memsmart Semiconductor Corp. v. Apple

訴訟名稱 Memsmart Semiconductor Corp. v. Apple
提告日期 2013年6月21日
原告 MemSmart Semiconductor Corp.
被告 Apple Inc.
案號 2:13-cv-518
訴訟法院 United States District Court Eastern District of TexasMarshall Division
系爭專利 US 7,829,364
系爭產品 iPhone 4
訴狀下載 download.gif

Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2013/07/3


 
歡迎來粉絲團按讚!
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1.科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述,僅為提供更多訊息,也不構成任何投資建議。
2.著作權所有,非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載,本中心保留一切法律追訴權利。