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雷射二極體技術專利訴訟 Nichia控告Emcore

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科技產業資訊室 (iKnow) - LCL 發表於 2013年6月18日

2013年6月11日,總部設立於日本德島縣的Nichia Corporation(日亞化學工業株式會社,下稱日亞化)於美國德州東區地方法院馬歇爾分院,對總部位於美國新墨西哥州的Emcore Corporation(下稱Emcore)提起專利侵權訴訟,指控Emcore的雷射二極體(laser diode)相關產品侵害其專利權,要求法院核發永久禁制令、因被告為故意侵權之行為准予三倍損害賠償,以及訴訟律師費之補償等。

據了解,日亞化與Cree、豐田合成、夏普、首爾半導體、Luminus等公司簽訂有交互授權協議,亦曾與億光(Everlight)、東貝及中國的珈偉等公司於LED技術相關專利有過訴訟紛爭。

本案系爭專利為美國專利標號US7,295,587,名稱為用導光層摻雜低阻抗的半導體雷射(Semiconductor laser having optical guide layer doped for decreasing resistance),2006年3月23日提出申請,2007年11月13日獲證,原始專利權人為Fujifilm Corporation,經查USPTO轉讓資訊,係於2012年4月13日轉讓給Nichia Corporation。

表一、系爭專利解析

US7,295,587 claim1
A semiconductor laser element comprising: 一種半導體雷射元件,包含:
a semiconductor substrate of a first conductivity type; 一第一種類導電性的半導體基板;
a lower cladding layer of the first conductivity type formed above a surface of said semiconductor substrate; 一第一種類導電性的下堆疊層形成於該半導體基板的一表面上;
an optical guide layer formed above said lower cladding layer; 一導光層形成於該下堆疊層之上;
a quantum-well active layer formed above said optical guide layer; 一量子井作動層形成於該導光層之上;
an upper cladding layer of a second conductivity type formed above said quantum-well active layer; 一第二種類導電性的上堆疊層形成於該量子井作動層之上;
a contact layer of the second conductivity type formed above said upper cladding layer; 一第二種類導電性的接觸層形成於該上堆疊層之上;
a first electrode of the first conductivity type formed below said lower cladding layer; and 一第一種類導電性的第一電極形成於該下堆疊層之下;以及
a second electrode of the second conductivity type formed on said contact layer; 一第二種類導電性的第二電極形成於該接觸層;
wherein said optical guide layer has a first bandgap smaller than a second bandgap which said lower cladding layer has, and the whole or a portion of the optical guide layer contains a dopant so as to realize a carrier concentration of 3.0×1017 cm-3 or higher. 其中該導光層的一第一帶差電壓小於下堆疊層的一第二帶差電壓,以及整個或部分的導光層包含有一摻雜物形成一載子濃度等於或高於3.0×1017 cm-3。
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Nichia Corporation
日亞化學工業株式會社,成立於1956年,總部位於日本的德島縣,是全球五大LED製造商之一,於LED組件、螢光體材料和LED封裝等技術上,擁有許多關鍵技術專利,許多LED大廠與其簽訂有專利交互授權協議。

Emcore Corporation
成立於1984年,總部位於美國新墨西哥州,產品涵蓋太陽能光能、發光原件及光纖等光學應用產品。

雖然日亞化與許多LED公司簽訂有交互授權協議,但觀察其與其他公司之前的訴訟,特別是與台灣LED廠商億光間的訴訟,戰火甚至遍及美國、歐洲、日本還有台灣,但其結果也不盡然有利於日亞化,但仍需持續注意日亞化所擁有的專利發展狀況,若持續獲得關鍵技術專利,則還是要小心其後續行動。(710字;表2)

表二、專利訴訟案件基本資料:Nichia Corporation v. Emcore Corporation

訴訟名稱 Nichia Corporation v. Emcore Corporation
提告日期 2013年6月11日
原告 Nichia Corporation
被告 Emcore Corporation
案號 2:13-cv-480
訴訟法院 United States District Court Eastern District of TexasMarshall Division
系爭專利 US 7,295,587
系爭產品 G1933-002-250
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2013/06/18


 
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