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以色列RPI教授Schubert控告Cree等高亮度氮化鎵基LED產品侵犯專利權

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科技產業資訊室 (iKnow) - SYL 發表於 2012年8月1日

2012年7月18日,現任教於以色列理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute,RPI,為美國最早的理工大學)、並被授予the Wellfleet Senior Constellation Professor, Future Chips之榮譽教授頭銜的E. Fred Schubert(下稱Schubert),向德拉瓦州聯邦地院提起三件專利侵權告訴,分別控告美國Cree, Inc.(下稱Cree)、歐洲Philips Lumileds Lighting Company LLC(下稱Philips Lumileds)以及德國OSRAM Opto Semiconductors GmbH(下稱OSRAM)等三家世界級LED大廠,其所製造販售的高亮度氮化鎵基LED(high-brightness Gan-based LEDs)系列產品,侵犯Schubert所共同發明並擁有權利、與氮化鎵光電半導體蝕刻技術相關之方法專利。

本案系爭專利為美國專利編號US6,294,475,名稱為「第三族氮化物材料之濕式化學蝕刻方法(Crystallographic wet chemical etching of III-nitride material)」,發明人為Schubert與Dean A.Stocker,該專利於2001年9月25日核發。

Schubert長期耕耘於化合物半導體之領域,致力於研發諸如共振腔發光二極體(resonant-cavity light emitting diodes)、光子晶體發光二極體(photonic crystal light emitting diodes)、LED全方位反射器(omni-directional reflectors for LEDs)等相關技術;其列名為30項專利之發明人或共同發明人,並共同發表了超過300篇學術論文。

OSRAM、Philips Lumileds與Cree,以其相關產品之獲利來看,均可被列為2011年世界前十大LED元件供應商,OSRAM名列第三,而Philips Lumileds與Cree則並列第六。(512字;表2)

表一、請求項解析

US6,294,475請求項1
1. A method of processing a III-Nitride epitaxial layer system provided on a substrate, comprising:
一項處理基板上第三族氮化物磊晶層系統之方法,包括
exposing non-c-plane surfaces of said III-Nitride epitaxial layer system (Fig.3 - 300); and
露出前述第三族氮化物磊晶層系統之非極性面
crystallographically etching said epitaxial layer system (Fig.3 - 302) in order to obtain crystallographic plane surfaces.
就前述第三族氮化物磊晶層系統進行蝕刻以取得結晶面
請求項2
2. The method of claim 1, wherein said III-Nitride epitaxial layer system comprises GaN.
在請求項1所揭露的方法中,前述第三族氮化物磊晶層系統由氮化鎵構成
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2012/08

表二、專利訴訟案件基本資料:Schubert教授控告Cree等

訴訟名稱 Schubertv. Cree, Inc. Schubertv. Osram Ag et. al. Schubertv. Koninklijke Philips Electronics NV et. al.
提告日期 2012年7月18日 2012年7月18日 2012年7月18日
原告 E. Fred Schubert E. Fred Schubert E. Fred Schubert
被告 Cree, Inc. OSRAMAGOSRAM OptoSemiconductors GmbHOSRAM OptoSemiconductors, Inc.OSRAMSylvania Inc. Koninklijke Philips ElectronicsN.V.Philips LumiledsLightingCompany LLC
案號 1:12-cv-00922-GMS 1:12-cv-00923-GMS 1:12-cv-00924-GMS
訴訟法院 the U.S. District Court for the District of Delaware the U.S. District Court for the District of Delaware the U.S. District Court for the District of Delaware
系爭專利 US6,294,475 US6,294,475 US6,294,475
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2012/08


 
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