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DRAM專利訴訟 英飛凌控告爾必達等多家公司提請337調查

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2010年2月22日

德國半導體製造商英飛凌(Infineon)於2010年2月19日在美國國際貿易委員會(ITC) 提請337調查,指控被告日本DRAM大廠爾必達(Elpida)公司及使用其下游產品之廠商等多家公司,侵犯了英飛凌的四項美國專利(US 5,480,051、US 5,422,309、US 5,397,664, and US 7,071,074),涉及半導體儲存晶片,特別是利用鋁層異性刻蝕方法(anisotropically etching aluminum layers),產生具有金屬化水平接觸和互連,製成一種投影光刻的階段掩模(phase mask for projection lithography)於集成電路上。

據訴狀指出,被告爾必達及瑞晶電子(Rexchip Electronics)因侵權非法製造及銷售系爭產品至美國,而其他被告係因使用了爾必達所生產的DRAM模組晶片成為被告。

英飛凌向ITC提出行政救濟,請求對非法產品向美國進口及在美國進行銷售的禁制令(LED),特別是被告的附屬公司及聯營公司,發出停止和終止令。並且包含使用爾必達 DRAM的下游產品。

無標題文件 表一、專利訴訟案件基本資料:英飛凌控告爾必達等多家公司提請337調查
提告日期 2010年2月19日
原告 Infineon Technologies AG of Germany
Infineon Technologies North America Corp

被告

Elpida Memory Inc. (爾必達)

Elpida Memory (USA) Inc. of Sunnyvale, California

Rexchip Electronics Corp. of Taiwan (瑞晶電子)

Kingston Technology Co. Inc. of Fountain Valley, California

Kingston Technology (Shanghai) Co. Ltd. of China

Kingston Technology Far East Co. Ltd. of Taiwan

Kingston Technology Far East (M) Sdn. Bhd. of Malaysia

Payton Technology Corp. of Fountain Valley, California

A-Data Technology Co. Ltd. of Taiwan

A-Data Technology (USA) Co. Ltd. of Hacienda Heights, California

Apacer Technology Inc. of Taiwan

Apacer Memory America Inc. of Milpitas, California

Buffalo Inc. of Japan

Buffalo Technology (USA), Inc. of Austin, Texas

Corsair Memory of Fremont, California

Corsair Memory (Taiwan) of Taiwan

Mushkin Inc. of Englewood, Colorado

Mushkin APAC of Malaysia

Transcend Information Inc. of Taiwan

Transcend USA of Orange, California

地點 US ITC
案號 337-TA-
系爭專利 U.S. Patent Nos. 5,480,051, 5,422,309, 5,397,664, and 7,071,074
案由 專利侵權
爭議議題 dynamic random access memory semiconductors (DRAMs).
訴狀下載   
Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2010/02。 

表二、系爭專利

Publication Title Assignee Pub. Date Filed Priority IPC Code
US5397664  Phase mask for projection lithography and method for the manufacture thereof Siemens Aktiengesellschaft  1995-03-14   1993-09-24   1990-04-09  G03F 1/00
US5422309  Method for producing a metallization level having contacts and interconnects connecting the contacts Siemens Aktiengesellschaft  1995-06-06   1993-12-16   1993-01-19  H01L 21/28
US5480051  Method for the anisotropic etching of an aluminiferous layer Siemens Aktiengesellschaft  1996-01-02   1994-05-02   1993-05-27  C23F 4/00
US7071074  Structure and method for placement, sizing and shaping of dummy structures Infineon Technologies AG  2006-07-04   2003-09-24   2003-09-24  H01L 21/76

 

(638字;表1) 


 
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