︿
Top

MRAM下世代明星產品 加速商業化進程

瀏覽次數:5808| 歡迎推文: facebook twitter wechat twitter twitter

科技產業資訊室 (iKnow) - Kyle 發表於 2020年8月17日

圖、MRAM下世代明星產品 加速商業化進程
 
隨著MRAM愈來愈火熱,成立於2007年的Spin Memory先在2018年的B輪融資中獲得5200萬美元,在2020年7月又獲得850萬美元融資的挹注,讓其融資總額達到1.58億美元。

2020年8月12日新創公司Spin Memory已開發出一種電晶體,可以大大提高MRAM和電阻性RAM的密度,稱之為Universal Selector。而且該技術還可以克服DRAM中一個名為Row Hammer的安全漏洞。簡單來說,Universal Selector允許晶片上記憶體得以實現比以往更高的性能,可靠性和密度,這將推動創新以滿足摩爾定律所預期的水準。

這項創新技術除了讓MRAM和ReRAM產品受益之外,DRAM也獲得改進的空間。Universal Selector能讓這些記憶體採取新的佈局、更小的單元佔用空間並提高密度,進而帶來前所未有的更高水準的性能、可靠性和密度。此外,Universal Selector是第一個可解決DRAMRow Hammer問題,同時又降低軟錯誤率(SER)和記憶體流失。現今Spin Memory正在與NASA合作研究這項技術的適用性,以開發低軟錯誤率和無Row HammerDRAM解決方案。

Spin Memory的Universal Selector為垂直單元電晶體提供了一種新穎的設計方法,目前已經提交給JEDEC工作小組,評估Row Hammer問題的解決方案。

除了解決Row Hammer問題之外,Universal Selector還通過其4F2 DRAM位元配置將DRAM陣列密度提高了20%–35%

對MRAM、ReRAM和PCRAM之類的新興記憶體來說,Universal Selector使製造商能夠創建6F2 – 10F2的1T1R記憶體位元,從而使製造商能夠在相同面積內嵌入五倍的記憶體,進而提高記憶體密度,滿足AI,虛擬實境,邊緣運算等技術的需求。

此外,Universal Selector還能讓MRAM達到與SRAM類似的性能水準。更重要的是,再結合Spin Memory公司的其他MRAM IP和創新技術,能克服MRAM的所有局限性,為產業提供了下一代非揮發性記憶體解決方案。

近年來,隨著人工智慧、自動駕駛、5G與邊緣運算推動之下,DRAM、NAND型快閃記憶體與SRAM已經不能滿足未來需求,因而MRAM(磁阻隨機存取記憶體)逐漸成為市場焦點。因為MRAM結合了DRAM的成本優勢,SRAM的快速讀寫性能以及NAND快閃記憶體的非揮發性,因而吸引了台積電、三星和GlobalFoundries等幾家晶圓代工廠商的注意與投入。

總之,未來隨著各大晶圓廠大力支持,以及MRAM新創公司在技術上不斷蛻變,MRAM的發展腳步會加快,為新興記憶體技術的商業化進程帶來動力。(742字)


參考資料:
MRAM Tech Startup Says It’s Device Solves DRAM’s Row Hammer Vulnerability. IEEE Spectrum, 2020/8/14
Universal Selector Technology Brings DRAM, MRAM and Other Memories to Higher Densities than Predicted by Moore’s Law. Business Wire,2020/8/12
Spin Memory raises $8.5m for MRAM push to market. Blocks and Files,2020/7/23  


相關文章:
1. 
四種儲存技術下世代明星​
2. 隨著AI與IoT崛起,MRAM記憶體成為未來之星​
3. 三星電子開始量產下一代存儲器MRAM​
4. 記憶體DRAM與NAND於2020年成為IC市場大贏家​
5. 晶片產能過剩議題,三星電子新廠啟用陷入膽小鬼博弈​

 
歡迎來粉絲團按讚!
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1.科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述,僅為提供更多訊息,也不構成任何投資建議。
2.著作權所有,非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載,本中心保留一切法律追訴權利。