晶片產能過剩議題，三星電子新廠啟用陷入膽小鬼博弈
科技產業資訊室 (iKnow) - 張小玫、何思穎 發表於 2019年10月21日
圖、三星的新工廠要如何面對晶片產能過剩的問題？
三星電子位於中國西安和南韓京畿道平澤市的半導體工廠，何時啟用正困擾著？還有這些新工廠應該生產哪些半導體產品呢？儘管人們對半導體供過於求的擔憂尚未消逝，但如果新工廠仍繼續生產記憶體晶片，三星電子極有可能陷入一場膽小鬼博弈，並且可能最終將影響自家的總體營收。
根據半導體產業(2019) 10月15日的資料顯示，截至9月DRAM（DDR4 8 Gb）和NAND Flash（128 Gb多層單元）的每單位價格分別為2.94美元和4.11美元，連續兩個月沒有變化。但在過去的10個月中記憶體晶片價格暴跌，隨著晶片製造商減產，日前價格已跌至谷底。
今年 (2019)，三星為了調整其晶片產能，將原先計畫的製造廠改為生產V NAND，以及將10奈米等級DRAM的生產製程從第一代（1x）更改為第二代（1y）。三星電子在第二季財報，表示並沒有減少DRAM產量。也因此，之後三星會在製程轉換期間將暫停晶片生產線的生產，以降低其產量。
SK海力士方面，在第二季財報公佈後，宣布將削減DRAM和NAND Flash的產量。美光和東芝也隨之宣布減產，但DRAM製造商美光表示，由於明年DRAM的需求預計將增長18%至20%，美光又宣布了明年將擴大DRAM產量以因應市場需求。至於英特爾剛發表了Optane記憶體，預計將搶佔DRAM市場。
這樣的情況到明年(2020)會更加嚴峻。如果，三星在即將今年底竣工的中國西安第二工廠和平澤的第二工廠開始大規模生產記憶體晶片，勢必面臨晶片價格的下跌。出於擔憂，因此三星電子表示，尚未決定何時運轉新工廠以及生產哪些產品。業內人士推測，中國西安的第二工廠將像第一工廠一樣生產NAND Flash，但三星電子否認了該說法，並表示目前尚未決定。由於NAND Flash的價格，在今年上半年已降至收支平衡點（BEP），所以考慮DRAM在中國市場的需求量，西安的第二工廠有可能成為DRAM生產基地。
半導體產業的專家建議，三星投資了30兆韓元於平澤的第二工廠，用於開發基於EUV的DRAM並擴大生產。但，由於晶片製造商尚須考慮眾多因素，包括中美貿易戰、中國擴廠導致記憶晶片供過於求風險以及美國總統大選，因此晶片製造商要做出有利的決定並不容易。
基於，全球經貿局勢發展不明，還有中國政府投入巨資扶植自己的NAND及DRAM業者，而且中國當局也正在調查三星、SK海力士和美光違反反壟斷法的行為，以上諸多變數都將影響三星電子的半導體產能決策。有鑑於此，儘管半導體的需求降低，但是晶片製造商仍能透過調整半導體供應，以達到預防性記憶體晶片的價格下跌。
儘管，市場對5G的商業化開始期待下一個「超級週期」，但是由於Apple 5G iPhone 預計明年(2020)下半年才會推出且5G內容的短缺，因此對半導體的需求預計將受到限制。雖然，伺服器對DRAM的需求在近幾年以來使三星表現佔盡優勢，但是，接下來雲端服務提供者需要的是優化軟體而不是購買DRAM，因此這方面需求幾乎不可能回升。(850字；圖1)
參考資料：
Chip Oversupply Leaves Samsung Electronics Pondering on When to Launch New Plants. BusinessKorea, 2019/10/17
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