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三星SAIT成功研發半導體新材料a-BN

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科技產業資訊室 (iKnow) - Lisa 發表於 2020年7月10日

圖、三星SAIT成功研發半導體新材料a-BN
 
三星電子在2020年7月6日宣布,旗下三星先進技術研究院(Samsung Advanced Institute of Technology, SAIT)成功研發非晶質氮化硼 (amorphous boron nitride, a-BN) 的新材料,此聯合研究成果來自SAIT、國立蔚山科學技術研究院 (UNIST)及劍橋大學。
 
三星表示這項新材料研究有機會加速次世代半導體的到來。此研究成果已刊登於科學期刊Nature。
 
根據三星SAIT近期專研二維 (2D) 材料具有單原子層的晶體材料的研發。具體而言,就是石墨烯的研究和開發,並取得了突破性的研究成果,例如開發新的石墨烯電晶體及生產大面積單晶晶片的新方法。還有,加速開發新材料的商業化。
 
根據SAIT石墨烯項目負責人Shin Hyeon-jun表示,為了加強石墨烯與矽材料於半導體製程的兼容性,晶圓級石墨烯應生成低於400攝氏度的溫度下在半導體基板上。此外,SAIT也將持續開發石墨稀在半導體以外的應用。
 
新發現的材料名為非晶質氮化硼 (amorphous boron nitride (a-BN)),有著硼和氮原子及非晶態的分子元素。儘管非晶質氮化硼是硼和氮原子以六邊形排列的白色石墨烯的衍生物,但非晶質氮化硼的結構使兩者有明顯的差異。
 
非晶質氮化硼的介電常數為1.78,極低的介電常數使其可作為絕緣材料,減低電子干擾。此外,非晶質氮化硼可以在低於400攝氏度的溫度下晶圓級的生長,將可用於DRAM和NAND等半導體,尤其提供大規模伺服器的次世代記憶體解決方案。(469字;圖1)
 
 
參考資料:
Samsung Announces Discovery of New Semiconductor Material. Business Korea, 2020/7/6.


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