中國紫光集團未來10年投資8000億元於3D NAND及DRAM

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2019年10月15日

圖、紫光集團將投資8000億元於3D NAND及DRAM

中國紫光集團最近宣布，將為未來10年投資8000億元人民幣（逾新台幣3.5兆元），以加速DRAM晶片大規模生產。該公司將在武漢建立一個研發中心，並在重慶生產工廠，計劃在2021年開始批量生產。換句話說，紫光集團平均每年將投入3,500億元發展DRAM，牽動全球DRAM市場版圖與供給狀況。

大基金扮演金主“點火”角色
大陸國家集成電路產業投資基金（簡稱大基金）於 2014 年 6 月正式設立，擁千億規模的投資基金扮演國家級積體電路產業建設和財務投資的雙重角色，推動中國晶片技術研發和生產製造發展。第一期規模近 1400 億人民幣，第二期資金規模更加擴大至2000億資金。隨著『大基金』領頭羊的帶動作用，大陸各地區也陸續成立地方基金，合計規模或將上看 3000 億元，協同推進各地積體電路產業的建設與發展。

2015年開始大舉投資半導體產業以來，2019年陸續進行投資項目的重新調整，以避免發生過度重複投資情況。其中，原本計畫在記憶體及晶圓代工雙管齊下的紫光集團，已確立會將資源集中發展記憶體，包括加快長江存儲3D NAND量產時程，並由紫光集團DRAM 事業群執行長高啟全主導DRAM事業發展。

紫光串起中國NAND Flash、DRAM生產鏈
紫光集團2019年來已將所有資源集中到記憶體領域，並串起大陸NAND Flash生產鏈，旗下長江存儲的武漢12吋晶圓廠2019年9月開始量產64層Xtacking技術3D NAND。初期產能規模並不大，短期對NAND Flash市場影響應有限，且以中國內需市場為主，預期明年(2020)下半年月產能6萬片對市場供給將開始逐步產生影響。至於，在3D NAND後段封測合作夥伴部份，將以南茂及其與紫光合資的上海青浦紫光宏茂為主，提供NAND Flash晶圓測試、晶片封測、模組封測等相關代工服務。

目前，不論DRAM或Nand Flash相關製程專利都掌控在三星、SK海力士和美光等三大廠手中，紫光集團要技術自主需要投入更多的人力和時間。

目前，先進半導體技術在美國管控之下，無法如以往般自由進入中國。即使，美光科技首席執行長最近訪問了中國，但外界一般認為，短期雙方很難有合作機會。還有，南韓也不願將技術授權給陸廠，最近，三星電子停止了與紫光集團的移動應用處理器業務，宣稱中國公司的智慧手機處理器競爭力不夠。但另一個原因是紫光集團正準備生產DRAM晶片以及NAND閃存記憶體，致使三星必須審慎考慮與陸廠合作的機會。因此，中國要繞過三大廠的專利，不是短時間可以達成，至少五到十年才能看到成果。

根據業界人士表示，由於紫光集團是中國政府重點扶植的指標廠商，紫光決定自主研發DRAM，必定獲得大基金和重慶產業基金的大力投資，初期研發中心將設在武漢，待研發有了成果才會在重慶設廠生產。當然，中國也將面臨半導體人才的挑戰，向外挖角正是進行式。

結語
雖然，中國大基金挹注巨資扶植半導體業者，但受到美中貿易戰影響要達到自主研發生產製造，至少需要三到五年的研發時間，即使 2021 年工廠完工甚至進入小批量投片，但要達到一定的經濟規模，仍需要更長的時間。(990字；圖1)

參考資料：
紫光拚DRAM 十年要砸3.5兆。經濟日報，2019/9/16。
長江存儲啟動64層3D NAND量產。科技產業資訊室(iKnow)，2019/9/3。
紫光籌組DRAM事業群拚自主研發。科技產業資訊室(iKnow)，2019/7/2。

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