三星電子開發出第三代10奈米級DRAM
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2019年3月22日
圖、三星電子開發出第三代10奈米級DRAM
該公司表示，開發10奈米級1z-nm 8 Gb DDR4，在不使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理，它已經突破了DRAM擴展的極限；與之前版本的10-nm DRAM相比，新DRAM的製造生產率提高了20％以上。同時，僅花了16個月就突破技術，將批量生產第二代10奈米級（1y-nm）8 Gb DDR4提升到第三代10奈米級DRAM。
新的DRAM有望幫助三星增強其業務競爭力，鞏固其在高端DRAM市場的領先地位，應用於包括伺服器、圖形和移動設備等。
三星特別強調，該基於第三代10-nm級（1z）DRAM的PC DDR4模塊已達到所有全球中央處理器（CPU）製造商的評估標準，能夠滿足全球IT客戶需求。
三星計劃在今年(2019)下半年批量生產該產品，以適應預計將於2020年推出的企業用下一代伺服器和高端PC。該1z-nm DRAM也將為下一代DRAM接口（如DDR5，LPDDR5和GDDR6）的過渡鋪路，這些接口將為未來的數位化新興產品提供服務。
目前，全球DRAM市場不佳，主要受到幾個因素的影響：全球經濟趨緩、美中貿易戰、Intel的CPU缺貨問題未改善、智慧手機銷售不如預期，再加上伺服器庫存調整，消費者對景氣缺乏信心，這些因素，都影響到記憶體的市況。目前，美光已經宣布記憶體減產，以緩和市場供過於求的問題。(550字；圖1)
參考資料：
Samsung Electronics Develops 3rd-generation 10 nm-class DRAM for First Time in the World. Business Korea, 2019/3/22.
Micron says memory chip recovery is coming later in the year, sending shares higher. CNBC, 20199/3/21.
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