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NAND快閃記憶體專利訴訟EMS Technologies控告Micron與IM Flash

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科技產業資訊室 (iKnow) - KAI 發表於 2014年9月25日
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圖、NAND快閃記憶體專利訴訟EMS Technologies控告Micron與IM Flash
 
2014年09月19日,一家半導體製造業者EMS Technologies, LLC在美國德州東區地方法院(Texas Eastern District Court)向Micron Technology, Inc. (以下簡稱為美光科技) 及其子公司IM Flash Technologies, LLC (以下簡稱為IM Flash)提出專利訴訟,指控其侵害所持有的兩件專利。
 
EMS公司是一家中小型半導體代工公司,其註冊於美國德州。
 
美光科技位於美國愛達荷州首府波夕市,於1978年由Ward Parkinson、Joe Parkinson、Dennis Wilson和Doug Pitman創立,1981年成立自有晶圓製造廠。目前是全球最大的記憶體存儲與影像感測器生產商之一。另外一被告IM Flash公司,則是美光科技公司與英特爾(Intel Corporation)共同成立的公司,主要生產消費性產品、手持裝置上所使用的儲存型快閃記憶體(NAND Flash)。
 
本案訴狀原告EMS公司所指控侵權的系爭專利,包括有:
  1. 美國第5,568,424號專利(以下簡稱為'424專利),其名稱為「Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems(EEPROM快閃記憶體系統的可程式化電源電路)」,專利獲准公告日為1996年10月22日,專利申請號為US 08/478,268,申請日為1995年6月7日。
  2. 美國第 5,592,420號專利(以下簡稱為'420專利),其名稱同樣為「Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems(EEPROM快閃記憶體系統的可程式化電源電路)」,專利申請號為US 08/482,939,專利獲准公告日為1997年1月7日,專利申請日為1995年6月7日。
上述兩件系爭專利屬於同一專利家族,均主張1994年10月17日美國專利第5,508,971號專利的優先權,原專利權人皆為Sandisk Corporation。技術內容涉及了儲存型快閃記憶體上的電路控制技術。主要而言,是通過程式控制儲存型快閃記憶體所連接的電源,使該電源選擇性地產生供應給儲存型快閃記憶體的高電壓,藉以改變或者清除儲存型快閃記憶體內的記錄。
 
而本件訴訟指控被侵權的產品,即是Micron所生產的不同品牌NAND快閃記憶體,包括:Micron, IM Flash, Lexar, Crucial以及 SpecTek。在訴狀中,原告EMS公司具體指出了上述侵權產品侵害了'424專利的請求項1以及'420專利的請求項13。
 
EMS公司請求法院對美光科技及IM Flash公司判以故意侵權及至少間接侵權,並給予損害賠償。(756字;表1)
 
表一、專利訴訟案件基本資料:
訴訟名稱 EMS Technologies, LLC v. Micron Technology, Inc. et al
提告日期 2014年3月7日
原告 EMS Technologies, LLC
被告 Micron Technology, Inc.
IM Flash Technologies, LLC
案號 2:14-cv-00900
訴訟法院 Texas Eastern District Court
系爭專利 US5,568,424;US5,592,420
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Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2014/09/24
 

 
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