DRAM 大廠必須發展其他事業脫離虧損

隨著記憶體大廠相繼公佈 2005 年第二季財報，南韓的三星電子與海利士分別以 1072.1 百萬美元與 232.4 百萬美元獲利．而美光、英飛凌與爾必達則分別呈現不同等級的虧損．

根據美林證券估計， 2005 年第二季 NAND 型快閃記憶體的市場情況中，三星電子以 57% 出貨量市場佔有率排名第一，東芝以 21% 居於第二，海力士以 12% 居於第三位， SanDisk 以 6% 居於第四位，可見得目前 NAND 型快閃記憶體仍舊由這四大廠商所把持．

也就是在此前提之下，三星與海力士搶得先機提早轉換產能，切入 NAND 型快閃記憶體市場，因此得以安然度過 DRAM 價格跌價的損失，所以第二季交出小賺的成績單．然而美光、英飛凌與爾必達卻由於遲遲未能順利進軍 NAND 型快閃記憶體市場，再加上遭受 DRAM 價格大跌的衝擊，蒙上賠錢的陰影．

與美光、英飛凌慘不忍睹的虧損情況相較，三星與海力士這兩家南韓記憶體業者持續實現獲利關鍵，在於提早重新配置 DRAM 與快閃記憶體的產能，在多元化產品組合策略運用下，在標準型 DRAM 價格跌價之際，儘早投資設備改換生產線，以最少的投資挹注，切入高度獲利的 NAND 型快閃記憶體生產。

美林證券報告顯示，就晶圓產能而言，海力士僅屈居第二，有 17% 產能市場佔有率，位在三星 54% 之後，就連 NAND 型快閃記憶體大廠東芝（只有 16% ）亦飽受海力士產能開出的威脅．

虧損累累的美光已宣佈，將自 2005 年第三季起旗下 12 吋廠正式加入量產 NAND 型快閃記憶體，且導入 90 奈米製程，預期將可大幅節省生產成本。至於，爾必達將往非標準 DRAM 事業發展．英飛凌則則期待往 MRAM 與 FeRAM 等記憶體方向發展．（ 729 字）