三星開始EUV大規模14奈米量產DDR5 搶先美光
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2021年10月18日
圖、三星開始EUV大規模14奈米量產DDR5 搶先美光
DDR5將在「資料經濟市場」扮演重要角色，市場預估明年 (2022) 將全面進入DDR5產品的世代交替，初期將先鎖定資料中心、超級電腦和企業伺服器應用。
三星電子（Samsung Electronics）2021年10月12日宣佈，開始大規模生產基於EUV技術的14奈米DRAM。繼2020年3月推出業界首款EUV DRAM後，三星將EUV層數增加到5層，為其DDR5解決方案提供最先進的DRAM製程。
三星電子透過關鍵的EUV微影技術，在DRAM推出多層EUV，樹立另一個技術里程碑，實現了14奈米的極小型化，這是傳統的氟化氬（ArF）製程無法實現的。三星將繼續提供最具差異化的記憶體解決方案，以滿足5G、人工智慧和元宇宙（metaverse）等資料驅動領域對更高性能和容量的晶片的需求。
隨著DRAM繼續縮小到10奈米範圍，EUV技術變得越來越重要。在14奈米DRAM採用5個EUV層，三星實現最高的位元密度提高到24Gb，且將晶圓的生產率提高近20%。與上一代DRAM節點相比，14奈米可以將功耗降低近20%。
利用最新的DDR5標準，三星的14奈米DRAM將傳輸速率最高達每秒7.2 Gbps，是DDR4最高3.2Gbps的兩倍以上。
另一家DRAM大廠美光（Micron）在出席 2021 COMPUTEX Forum曾表示，美光DDR5生態系統已經準備好了，目前已有來自超過100家企業、250位計及技術專家參與計畫。預計將在明年 (2022) 推出、可支援DDR5的新平台做準備。現在看來，三星電子又搶先美光早一步量產推出DDR5。 (522字；圖1)
參考資料：
Samsung Starts Mass Production of Most Advanced 14nm EUV DDR5 DRAM. Samsung, 2021/10/12.
美光推出「技術應用支援計畫」，推動採用先進 DDR5。美光，2020/7/14。
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