億光將外購專利價值極大化，控告亞馬遜販售的LED燈泡侵權

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科技產業資訊室 (iKnow) - Bond 發表於 2021年9月13日

圖、億光將外購專利價值極大化，控告亞馬遜販售的LED燈泡侵權

億光電子（Everlight Electronics）於2021年8月31日向德州西區聯邦法院提出訴訟6:21-cv-00906，主張亞馬遜於網路平台上所販售的LED照明裝置，包括：汽車大燈LED燈泡（headlight LED blub）、仿燈絲LED燈泡（filament LED bulb）、紫外線LED照明（ultraviolet-C LED Products）侵害億光所擁有的USP# 7554126美國專利。亞馬遜販售的被控產品包含若干大廠產品，例如：飛利浦551770（A19）燈絲燈泡，與奇異照明的36488（蠟燭造型）燈絲燈泡。

本案系爭專利 '126係松下株式會社（Panasonic Corp.）於2014年8月移轉給億光，先前並未有任何法院訴訟紀錄；加計審查延誤延長的專利效期291天，'126專利預計在2026年7月10日屆滿失效。

Case Number	Filing Date	Court	Plaintiff	Defendant	Cause of Action	Asserted Patent
6:21-cv-00906	2021/8/31	Texas Western District Court	Everlight Electronics Co., Ltd.	Amazon.com, Inc.	Patent Infringement	US7554126

USP# 7554126專利範圍

將訴狀所描述 '126專利claim 1 和被控產品侵害比對圖示，表格整理為侵害比對表形式如下：

US7554126 claim 1	翻譯	Beamtech–9007 LED Headlight Bulb Product
1. A semiconductor light-emitting element comprising:	1. 一種半導體發光元件，包括：
a light-transmitting element substrate;	一透光元件基板；
an n-type semiconductor layer formed on the element substrate so as to cover the element substrate;	一 n 型半導體層形成在該元件基板上以覆蓋元件基板；
a p-type semiconductor layer formed so as to cover an area on the n-type semiconductor layer from which an area for an n-electrode on the n-type semiconductor layer is excluded, for emitting light in cooperation with the n-type semiconductor layer;	一 p 型半導體層形成為覆蓋該 n 型半導體層上，但排除該 n 型半導體層上的一 n 電極區域之外的區域，用於與該 n 型半導體協同發光;
a first n-electrode that is a thin film formed on the area for the n-electrode of the n-type semiconductor layer;	一第一 n 電極是形成在該 n 型半導體層的 n 電極對應區域上的薄膜；
a first p-electrode that is a thin film formed on the p-type semiconductor layer;	一第一 p 電極是形成在該 p 型半導體層上的薄膜；
a first insulating layer that is formed so as to insulate the first n-electrode and the first p-electrode from each other;	一第一絕緣層形成以將該第一 n 電極和該第一 p 電極彼此絕緣；
a second n-electrode formed on the first n-electrode and the first insulating layer as a thin film having an area larger than a joined face between the n-type semiconductor and the first n-electrode so that the second n-electrode is electrically connected to the first n-electrode, the second n-electrode being insulated from the first p-electrode by the first insulating layer; and	一第二 n 電極形成在第一 n 電極和第一絕緣層上，該第二 n 電極為一薄膜，該薄膜第二 n 電極薄膜面積（左方圖案棗紅色區域）大於該 n 型半導體和該第一 n 電極之間的接合面（右方圖案，複數個紫藍色圓點區域總和），使得第二n電極電連接第一n電極，第二n電極通過第一絕緣層與第一p電極絕緣，和
a second p-electrode formed as a thin film having an area smaller than a joined face between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, the second p-electrode being electrically connected to the first p-electrode.	一第二p電極為一薄膜，該第二p電極薄膜面積（左方圖案棗紅色區域總和）小於該n型半導體層和p型半導體層之間的接合面（右方圖案，扣除複數個白色圓點後剩下紫色區域），第二p電極電連接到第一p電極。

配合專利實施例圖示對照說明，'126專利範圍第一項的主要技術特徵為：
1. "第二n電極17 (橘區)面積"大於”n型半導體層12與第一n電極14間接合面12a (紅線)"，且
2. "第二P電極18 (紫區)面積”小於"n型半導體層12與p型半導體層13間接合面12b (藍線)"。

運用 ‘126專利技術，可加大n型半導體層12的電極焊接面積，從原本第一n電極14 (紅線) 放大為第二n電極17尺寸 (橘區)，提供較大的焊墊區域；使LED的第二n電極17與第二P電極18尺寸可實質上相同，有助於將LED晶片焊接安裝到電路板上。

結語

億光早於七年前就進行LED專利佈局，從松下株式會社取得 '126專利，推測先前相關運用可能僅限於非訴訟的交互授權談判場合；如今在防禦日亞化侵權訴訟告一段落後，更進一步積極運用將該專利價值極大化，利用合法專利侵權訴訟來回收投資。從此案被控侵權產品包含歐美大廠的LED燈泡產品，顯現億光轉變為積極運用專利權，追求權利金或專利產品市場的決心，值得其他台灣廠商學習。(2880字；圖5)

參考資料：
New LED Lighting Case Flickers On a Few Months After the End of “Long-running, Acrimonious” Litigation in the Same Space, RPX Insight, Sep. 10, 2021

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