台積電N12e技術：採用16/12奈米FinFET技術導入物聯網邊緣裝置

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2020年9月3日

圖、台積電N12e技術：採用16/12奈米FinFET技術導入物聯網領域

根據台積公司部落格報導，台積電N12e技術驅動下一世代支援人工智慧及5G物聯網的邊緣裝置。

邁入AI人工智慧及5G物聯網時代，目前市場上首波物聯網裝置獲得廣泛地採用，其中包括連結式喇叭、智慧門鈴、連結式安全監控攝影機、智慧手錶、穿戴式裝置等，這些裝置擁有創新性且突破了技術的界限，但是仍然存在些許限制，就物聯網裝置而言，主要的設計考量包括尺寸外觀、功耗效率、電池壽命、效能、以及連結性。

未來，下一世代的人工智慧及5G物聯網裝置將在邊緣端提供嶄新層次的智慧化、功能性、連結性、可靠性、以及更具效能，更強大、更複雜的人工智慧神經網路更能夠模擬人類的大腦，深層神經網路（Deep Neural Network, DNN）與卷積神經網路（Convolutional neural network, CNN）能夠提供邊緣裝置能力，遠勝現今的物聯網裝置。

台積電新開發N12e技術特點：

特別針對支援人工智慧化的物聯網裝置及其他高效率、高效能的邊緣裝置。
N12e採用台積電16奈米FinFET電晶體技術並帶入物聯網領域。
N12e奠基於台積電的12FFC+超低漏電技術。

相較於台積電22ULL技術，N12e技術提供：

邏輯密度提升76% - 實現更小更具成本效益的設計，在相同特定面積上容納更多電晶體以增加運算核心與記憶容量。
在特定功耗下速度增快49% - 在任何特定功耗水平上對於物聯網裝置都是一大躍進。相較於平面式技術，N12e技術具備更大的運算效能，能夠支援更優異的產品功能。
在特定速度下功耗改善55% - N12e技術廣泛提供各種高效能與低功耗的選擇來支援多樣的產品設計。
SRAM漏電流降低超過50% - 對於延長電池壽命而言至為關鍵，同時能夠降低熱能產生與散熱。
低Vdd設計生態系統解決方案 – 降低主動功耗與漏電功耗支援電池供電產品延長電池壽命。

總而言之，台積電16/12奈米超高效能FinFET技術，支援物聯網產品，同時透過嚴密的參數調整更進一步提升功耗效率及降低漏電，尤其更大幅改善關閉狀態漏電特性。而事實上，台積電16/12奈米技術家族已應用於現今的超級電腦、以及繪圖處理器與網路處理器等高效能運算裝置，以及現在將N12e技術更推廣應用於新世代物聯網領域。(727字；圖1)

參考資料：
台積公司N12e技術：驅動下一世代支援人工智慧及5G物聯網的邊緣裝置。台積公司部落格，2020/8/24。

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