MRAM下世代明星產品 加速商業化進程
科技產業資訊室 (iKnow) - Kyle 發表於 2020年8月17日
圖、MRAM下世代明星產品 加速商業化進程
2020年8月12日新創公司Spin Memory已開發出一種電晶體，可以大大提高MRAM和電阻性RAM的密度，稱之為Universal Selector。而且該技術還可以克服DRAM中一個名為Row Hammer的安全漏洞。簡單來說，Universal Selector允許晶片上記憶體得以實現比以往更高的性能，可靠性和密度，這將推動創新以滿足摩爾定律所預期的水準。
這項創新技術除了讓MRAM和ReRAM產品受益之外，DRAM也獲得改進的空間。Universal Selector能讓這些記憶體採取新的佈局、更小的單元佔用空間並提高密度，進而帶來前所未有的更高水準的性能、可靠性和密度。此外，Universal Selector是第一個可解決DRAM的Row Hammer問題，同時又降低軟錯誤率（SER）和記憶體流失。現今Spin Memory正在與NASA合作研究這項技術的適用性，以開發低軟錯誤率和無Row Hammer的DRAM解決方案。
Spin Memory的Universal Selector為垂直單元電晶體提供了一種新穎的設計方法，目前已經提交給JEDEC工作小組，評估Row Hammer問題的解決方案。
除了解決Row Hammer問題之外，Universal Selector還通過其4F2 DRAM位元配置將DRAM陣列密度提高了20%–35%。
對MRAM、ReRAM和PCRAM之類的新興記憶體來說，Universal Selector使製造商能夠創建6F2 – 10F2的1T1R記憶體位元，從而使製造商能夠在相同面積內嵌入五倍的記憶體，進而提高記憶體密度，滿足AI，虛擬實境，邊緣運算等技術的需求。
此外，Universal Selector還能讓MRAM達到與SRAM類似的性能水準。更重要的是，再結合Spin Memory公司的其他MRAM IP和創新技術，能克服MRAM的所有局限性，為產業提供了下一代非揮發性記憶體解決方案。
近年來，隨著人工智慧、自動駕駛、5G與邊緣運算推動之下，DRAM、NAND型快閃記憶體與SRAM已經不能滿足未來需求，因而MRAM（磁阻隨機存取記憶體）逐漸成為市場焦點。因為MRAM結合了DRAM的成本優勢，SRAM的快速讀寫性能以及NAND快閃記憶體的非揮發性，因而吸引了台積電、三星和GlobalFoundries等幾家晶圓代工廠商的注意與投入。
總之，未來隨著各大晶圓廠大力支持，以及MRAM新創公司在技術上不斷蛻變，MRAM的發展腳步會加快，為新興記憶體技術的商業化進程帶來動力。（742字）
參考資料：
MRAM Tech Startup Says It’s Device Solves DRAM’s Row Hammer Vulnerability. IEEE Spectrum, 2020/8/14
Universal Selector Technology Brings DRAM, MRAM and Other Memories to Higher Densities than Predicted by Moore’s Law. Business Wire，2020/8/12
Spin Memory raises $8.5m for MRAM push to market. Blocks and Files，2020/7/23
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