三星電子宣稱開發出3奈米晶片製程
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2020年1月3日
圖、三星電子開發出3奈米晶片製程
南韓媒體Business Korea報導，三星電子已成功開發出業界首個3奈米晶片製造技術，這也是其半導體2030願景目標之一。與三星電子最近完成製造工藝的5奈米產品相比，3奈米半導體的晶片尺寸縮小了35％，功耗降低了50％，但性能卻提高了30％。三星電子計劃在2022年開始大規模生產3奈米晶片。其他先進製程細節，並未揭露。
其實，三星2019三星代工產業論壇於2019年 5月14日(當地時間)在美國聖克拉拉舉行，會上宣布各種晶圓製程節點的計劃，其中包括5nm FinFET和3nm GAAFET的變體。三星宣布2020年量產5nm FinFET，預計將於2019年下半年開始量產6nm晶片。至於3奈米製程，將在明年(2020)完成開發3奈米製程「環繞式閘極結構」（Gate-All-Around，GAA）節點技術，並在2021年開始量產。看來，3奈米大規模量產計畫又要延後至2022年。
根據三星所揭露資料，GAAFET（Gate-All-Around）製程節點是由三星與IBM合作開發的。與傳統的FinFET設計相反，GAAFET允許柵極材料從所有側面圍繞通道。三星聲稱MBCFET(GAAFET商標名稱)的設計將改善晶片製程的開關行為，並允許處理器將工作電壓降至0.75V以下。
近日，三星電子似乎產能一直不太順利。在南韓華城的晶片廠2019年12月31日下午停電大約一分鐘，導致一些半導體生產線部分停擺。由於區域電纜發生問題導致停電，三星電子（Samsung Electronics）一些動態隨機存取記憶體（DRAM）和儲存型快閃記憶體（NAND Flash）晶片生產線停擺，預計要2、3天左右才能完全恢復。這起事件可能讓三星損失數百萬美元。
同時，現代汽車集團於1月2日宣布，到2025年將投資100兆韓元（860億美元），以確立在未來汽車移動市場的領導地位。同一天，現代汽車集團執行副總裁鄭義善在新年致辭中宣布集團投資計劃，表示將通過開發電動汽車平台並增強電動汽車關鍵零部件的競爭力，來擴大在電動汽車（EV）市場的全球影響力。該集團計劃到2025年推出總共44輛電動汽車。其實，車聯網或電動車需要許多先進系統晶片。南韓將藉助各產業的需求整合來拉抬三星的半導體技術及現代汽車的智慧汽車市場。(350字；圖1)
參考資料：
Samsung Electronics Develops 3-nano Chip Manufacturing Process. Business Korea, 2020/1/3.
Samsung’s Fab in Hwaseong Suffers Power Outage. ANandtech, 2020/1/2.
三星電子3奈米GAA製程2021年量產。科技產業資訊室(iKnow)，2019/5/16。
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