先進邏輯IC技術火力全開、並不因成本增加而停滯
科技產業資訊室 (iKnow) - Gloria 發表於 2019年2月25日
圖、邏輯/晶圓代工製程藍圖
目前隨著主流CMOS製程達到其理論、實際和經濟上的極限，降低IC成本比起以往任何時候都更具挑戰性。現今晶圓廠提供的邏輯導向晶片的製程技術比以往任何時候點都還要來得多。IC Insights列出目前不同廠商使用的幾種邏輯技術。
英特爾：在2018年末，英特爾推出代號為Coffee Lake Refresh的第九代處理器。英特爾雖然聲稱這些處理器是新一代產品，但是它們看起來更像是第八代產品的增強版。雖然細節談論很少，但這些處理器似乎是14nm++製程的增強版本，或者是可以被認知為是14nm+++製程。
英特爾預計在2019年將10nm製程進入大規模生產，首批使用這個製程的產品將是2018年12月推出的Sunny Cove系列處理器。從目前看來，SunnyCove架構基本上取代了原本計畫在2019年推出的10nmCannon Lake架構。預計到2020年，10nm+的衍生製程將進入量產階段。
台積電：台積電的10nmfinFET製程於2016年底就已經投入量產，並在短短的兩年間，從10nm迅速發展至7nm。對於台積電來說，7nm產品將成為繼28nm和16nm之後的又一個長壽的節點。
至於台積電5nm製程，正在開發之中，且預計將於2019年上半年進入風險試產階段，並於2020年進入量產。該製程將使用EUV，但卻不是台積電首次利用EUV技術的製程技術。第一個採用EUV光刻機的是，7nm技術的改進版本N7+製程的關鍵層（四層）。但N5製程將廣泛使用EUV（最多到14層）。N7+計畫於2019年第二季度開始量產。
三星：在2018年初，三星宣佈開始量產名為10LPP（low power plus）的第二代10nm製程。在2018年晚些時候，三星推出10LPU（low power ultimate）的第三代10nm製程。與台積電不同的是，三星在10nm製程上使用三重曝光蝕刻技術，且三星認為其10nm製程系列（包括8nm衍生產品）的生命週期將會很長。
至於三星的7nm技術於2018年10月已經投入風險試產。三星不再提供採用浸近式蝕刻技術的7nm製程，而決定採用EUV。三星預計將EUV用於7nm的8-10層。
GlobalFoundries：將其22nmFD-SOI製程視為其主要市場，並與其14nm finFET技術相輔相成。
2018年8月，GlobalFoundries宣佈將停止7nm開發。主要原因，其主要客戶AMD已宣布7奈米產品採用台積電CLN7FF設計，且第二代 Epyc 伺服器處理器（架構代號：Rome）將交由台積電以7nm 製程負責生產。還有，先進技術節點的生產成本大幅增加，且太少的代工客戶計畫使用下一代製程，進而讓其戰略進行重大轉變。GlobalFoundries也調整了其研發工作，以進一步增強其14nm和12nm finFET製程及其完全耗盡的SOI技術的競爭力。
總結，這五十年來，IC技術的生產率和性能得到了驚人的改善。即使隨著時間推進，障礙仍不斷在擴大。但是IC設計人員和製造商正在開發比增加晶片功能更具革命性的解決方案。（746字）
參考資料：
Advances in Logic IC Process Technology Move Forward. IC Insights，2019/2/21
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