有關聯電公司申請赴廈門參股投資聯芯12吋晶圓廠一案，基於協助我國半導體業者運用中國大陸官方政策優惠、及早卡位，爭取中國大陸龐大商機，並在沒有技術外流疑慮、在國內有相對投資並增聘員工之前提下，經過經濟部投資審議委員會會同有關機關於103年12月31日審查後，同意聯電公司赴陸投資。
聯電公司表示本次參股投資案主要考量中國大陸半導體內需快速成長之市場，及當地政府對於半導體產業的補貼賦稅優惠以及採購規範限制等條件，故宣布參股投資12吋晶圓製造廠。
中國大陸具有廣大的半導體市場，且中國大陸半導體晶片需求正快速成長，聯電公司此次赴陸參股投資晶圓製造廠係為爭取中國大陸晶片內需市場，以爭取商機、提前卡位。
此外，聯電公司此次赴陸參股投資可取得當地政府相關政策優惠，目前半導體為中國大陸重點發展產業，當地企業從事晶圓製造可申請研發補助及租稅減免，另中國政府規定銀行IC卡需採用當地製造之晶片，聯電公司為爭取IC智慧卡之廣大市場及享有優惠措施，故須透過參股投資聯芯以取得參與中國政府標案之資格及優惠。
近年來因中國大陸半導體市場快速成長，全球半導體產業朝中國大陸移動之趨勢明顯，國際大廠如英特爾(Intel)、三星(Samsung)已陸續至中國大陸投資晶圓製造廠，我國主要競爭對手皆已赴陸投資，相較於全球半導體之競爭，我國業者如能透過併購、投資參股等方式，掌握大陸之訂單及擴大業者掌控之產能，並利用其政策優惠取得全球半導體市場之有利地位，擴大市場占有率，將有利於我國廠商在全球及中國大陸的佈局。
聯芯公司註冊資本額為20.7億美元，其中聯電公司5年內將出資13.5億美元，未來聯芯公司主要營收將來自40/55奈米製程技術，聯電公司將依規定向聯芯收取技術合作權利金；另我國主要競爭對手三星(Samsung)已赴陸投資最先進技術(12吋廠1X nm製程)，而聯電公司目前所擁有最佳技術僅為28奈米，此次赴陸投資更僅為40/55奈米，並無技術外流之疑慮，亦符合「赴大陸併購、參股投資之製程技術須落後該公司在臺灣之製程技術一個世代」之規定。
本案經濟部已邀集相關單位及專家學者召開關鍵技術小組進行審查，會中聯電公司承諾，未來在台灣將加碼投資，持續投資建置高階製程產能，預計未來三年平均每年資本支出將投入逾13億美元，將超過此次赴陸投資總金額13.5億美元；另並加強研發投入，於南科廠區之研發中心開發14奈米與其他利基型產品，同時配合在南科持續擴產，未來三年將新增3,000名就業機會，且將逐年增加半導體設備、材料本土採購金額之比例。
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