2009年8月28日於美國德州東部聯邦法院，美國電源管理晶片製造商ON Semiconductor指控南韓海力士(Hynix)、日本爾必達(Elpida)、台灣南亞科技(Nanya Tech)、美商HITTITE MICROWAVE公司等四家DRAM廠商，提出專利侵權告訴。見表一。
從原告ON Semiconductor公司提出訴狀指出，被告這四家公司侵犯該公司五項美國專利(US5,400,286、US6,362,644、US5,361,001、US5,563,594、US5,434,523)，造成不可彌補的損害，尋求行政救濟，要求對被告發出永久禁制令(permanent injunction)及三倍賠償(treble damages)。
該訟案爭議產品，包括海力士製造的快閃記憶體、DDR、SDRAM，爾必達和南亞製造的DDR、SDRAM，以及Hittite製造的緩衝記憶體。
同樣的，ON Semiconductor曾於2006年12月4日控告南韓三星電子，並於今年2月達成和解，結束長達三年的專利侵權官司。
安森美半導體(ON Semiconductor Corp)公司概況
全球總部位於美國亞利桑那州菲尼克斯，並在北美、歐洲和亞太地區等關鍵市場設立製造廠、銷售辦事處和設計中心。於美國納斯達克上市(代號：ONNN)，針對電源、汽車、通信、計算機、消費產品、醫療、工業、手機和軍事/航空等電源解決方案供應商。公司產品系列包括電源、模擬、數字信號處理器、混合信號、先進邏輯、時鐘管理和標準等電子元件。 2006年5月時，其子公司Semiconductor Components Industries完成併購LSI Logic位於美國俄勒岡州Gresham的晶圓廠以及相關半導體製造設備，該交易總價約為1.05億美元。
表一、專利訴訟案件基本資料：ON Semiconductor公司提告海力士、爾必達、南亞科技、HITTITE MICROWAVE公司
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提告日期
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2009年8月28日
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原告
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- ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
- SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, L.L.C.
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被告
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- HYNIX SEMICONDUCTOR INC.,
- HYNIX SEMICONDUCTOR AMERICA INC.,
- HYNIX SEMICONDUCTOR MANUFACTURING AMERICA, INC.,
- ELPIDA MEMORY, INC.,
- ELPIDA MEMORY (USA) INC.,
- NANYA TECHNOLOGY CORPORATION,
- NANYA TECHNOLOGY-TEXAS L.L.C.,
- NANYA TECHNOLOGY CORPORATION, USA,
- HITTITE MICROWAVE CORPORATION,
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地點
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U.S. District Court for the Eastern District of Texas (TXED)
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案號
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6:09-cv-390
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系爭專利
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5,400,286 entitled “Self-Recovering Erase Scheme to Enhance Flash Memory Endurance,”
6,362,644 entitled “Programmable Termination for Integrated Circuits,”
5,361,001 entitled “Circuit and Method of Previewing Analog Trimming,”
5,563,594 entitled “Circuit and Method of Timing Data Transfers,”
5,434,523 entitled “Circuit and Method for Adjusting a Pulse Width of a Signal,”
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爭議議題
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DDR、SDRAM
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爭議產品
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Hynix defendants’ HY27SF081G2A flash memory and other flash memory products.
Hynix defendants’ DDR2, DDR3, GDDR3 and GDDR4 products，HY5PS124(8/16)21FP SDRAM、HY5RS123235FP SDRAM、HY5DU12422B(L)TP, and HY5DU12422A(L)T-D4 、HYMP512R72P8 SDRAM.
Elpida defendants’ DDR2 and DDR3 products， EBE51UD8ABFA SDRAM、EBE51UD8ABFA SDRAMs 、EDD5108AGTA
Nanya defendants’ DDR、DDR2 and DDR3 products，M2Y2G64TU8HB0J-25D SDRAM、M2Y1G64DS8HB1G SDRAMs.
Hittite's Fanout buffers such as part number HMC670LC3C.
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2009/09。
(788字，圖：1；表：1)
後續報導：
2010.10.18 本案法院移轉至北加州地方法院(案號：3:2010cv04687)繼續審理。
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