Flash記憶晶片訴訟，三星電子向8家廠商提起ITC 337調查

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2009年8月7日

世界第三大快閃記憶晶片供應商Spansion LLC，僅次於韓國三星和日本東芝。為了快閃記憶晶片市場，三星電子與Spansion專利訴訟戰火似乎已有蔓延趨勢。

2009年7月31日南韓三星電子公司Samsung於美國ITC提請337調查，指控8家廠商所生產Nand Flash晶片侵犯了其擁有專利，並進行非法製造、進口、銷售等行為，如表一。

本案系爭專利係US6,930,050 與US5,740,065，皆為三星所擁有。

據三星訴狀提出可能補救，三星要求ITC委員會發出“永久排除令”(permanent exclusion order)，但並未指明是否要求普遍或有限排除令(LEO)。此外，三星要求ITC發出禁止命令(Cease and Desist Order)，禁止被告銷售先前已進口至美國之涉案貨物。

表一、專利訴訟案件基本資料：三星提告8家廠商Flash晶片專利侵權

提告日期	2009年7月31日
原告	Samsung Electronics Co., Ltd. (“Samsung”) of South Korea
被告	Spansion Inc. of Sunnyvale, California Spansion LLC of Sunnyvale, California Spansion Japan Ltd. of Japan Alpine Electronics, Inc. of Japan Alpine Electronics of America, Inc. of Torrance, California D-Link Corp. of Taiwan D-Link Systems, Inc. of Fountain View, California Slacker, Inc. of San Diego, California Synology Inc. of Taiwan Synology America Corp. of Redmond, Washington Shenzhen Egreat Co., Ltd. of China EGreat USA of Fairfax, California Appro International, Inc. of Milpitas, California
地點	U.S. ITC
案號	337-TA-
系爭專利	US6,930,050 Multi-chamber system having compact installation set-up for an etching facility for manufacturing semiconductor devices. US5,740,065 Method for manufacturing semiconductor device
爭議議題	有關Flash晶片 certain flash memory and products containing the same
爭議產品	侵犯'065專利之產品 1、Spansion S29GL128P11TFI010, AL008D08F102, S29GL256N11TFI010, S26GL064A90TFIR3, NS032J0LBJW0Q, S29AL032D90FT103, and S29GL256P10FI010 2、Spansion's 65 nm flash memory used : EcoRAM solutions 侵犯'050專利之產品 1、Alpine PND-K3 portable GPS system 2、D-Link DIR-330 NetDefend Wireless 802.11g Wireless VPN Firewall 8 4-Port 10/100Mbps Switch router 3、Slacker 2 GB (part no. 900260004-001) personal radio 4、Synology DS209+II disk station 5、Egreat EG-M31B Networked Media Tank 6、Appro 1143H server

Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2009/07。

表二、系爭專利

Publication	Title	Assignee	Pub. Date	Filed	Priority	IPC Code
US5740065	Method for manufacturing semiconductor devic	Samsung Electronics Co., Ltd.	1998-04-14	1995-05-24	1994-05-25	H01L 21/02
US6930050	Multi-chamber system having compact installation set-up for an etching facility for semiconductor device manufacturing	Samsung Electronics Co., Ltd.	2005-08-16	2002-11-19	1998-04-21	H01L 21/00

一、關於Spansion LLC

Spansion是AMD(Advanced Micro Devices, Inc.)與富士通(Fujitsu Limited)的合資公司，AMD擁有60%的股權。Spansion主要生產NOR快閃記憶晶片，並開發新的Ornand快閃技術。在2009年3月初宣布破產保護，Spansion正在積極進行組織重整，期望能在2009第四季能脫離破產程序。

二、訴訟紀錄

在2008年11月17日Spansion分別出擊於美國ITC及Delaware聯邦地院向三星提訴有關Nand Flash晶片專利侵權，正在審理當中，如表二及表三。雖然ITC訴訟，Spansion主要控告對象是三星電子，還連帶也告眾多下游產品製造商，包括蘋果(Apple)、華碩(ASUS)、金士頓(Kingston)、聯想(Lenovo)、PNY、RIM、索尼(Sony)、索尼易利信(Sony-Ericsson)、Verbatim和創見(Transcend)等公司。

據Spansion所提告的系爭專利，原始專利權人皆來自母公司AMD(Advanced Micro Devices, Inc.)所有。

三、評析

在今年四月初全球景氣低迷之際，市場曾傳聞，三星電子計劃支付給Spansion約7000萬美元，雙方專利交叉授權許可及合約，終結兩家公司的專利爭議，以加快三星電子於美國市場的發展。而Spansion也期望可以減輕其短期負債水位，並為其組織重整邁出一大步。如今，全球經濟正邁向復甦之際，雙方爭端再起，現實終歸為了快閃晶片市場。

表二、專利訴訟案件基本資料：Spansion提告15家廠商Nand Flash晶片專利侵權

提告日期	2008年11月17日
原告	Spansion, Inc., Sunnyvale, CA; Spansion LLC, Sunnyvale, CA
被告	Samsung Electronics Co., Ltd., South Korea Samsung Electronics America, Inc., Samsung International, Inc., San Diego, CA; Samsung Semiconductor, Inc., San Jose, CA; Samsung Telecommunications America, LLC, Richardson, TX; Apple, Inc., Cupertino, CA; Hon Hai Precision Industry Co., Ltd, Taiwan; AsusTek Computer Inc., Taiwan; Asus Computer International Inc., Fremont, CA; Kingston Technology Company, Inc., Fountain Valley, CA; Kingston Technology (Shanghai) Co., Ltd., China; Kingston Technology Far East Co., Taiwan; Kingston Technology Far East (Malaysia), Malaysia; Lenovo Group Limited, Hong Kong; Lenovo (United States) Inc., Morrisville, NC; Lenovo (Beijing) Limited, China; International Information Products (Shenzhen) Co., Ltd., China; Lenovo Information Products (Shenzhen) Co., Ltd., China; Lenovo (Huiyang) Electronic Industrial Co., Ltd., China; Shanghai Lenovo Electronic Co., Ltd., China; PNY Technologies, Inc. Parsippany, NJ; Research In Motion Ltd. Canada; Research In Motion Corporation, Irving, TX; Sony Corporation, Japan; Sony Corporation of America; New YOrkNY; Sony Ericsson Mobile Communication AB, Sweden; Sony Ericsson Mobile Communiations (USA), Inc., Resarch Triangle Park, NC; Beijing SE Putian Mobile Communication Co., Ltd., China; Transcend Information Inc., Taiwan; Transend Information, Inc. (US), Orange, CA; Transcend Information Inc. (Shanghai Factory), China; Verbatim Americas LLC, Charlotte, NC; Verbatim Corporation, Charlotte, NC
地點	U.S. ITC
案號	337-TA-664
系爭專利	US6,380,029 Method of forming ono stacked films and DCS tungsten silicide gate to improve polycide gate performance for flash memory devices US6,080,639 Semiconductor device containing P-HDP interdielectric layer US6,376,877 Double self-aligning shallow trench isolation semiconductor and manufacturing method therefore US5,715,194 Bias scheme of program inhibit for random programming in a nand flash memory
爭議議題	有關Nand Flash晶片 Flash Memory Chips and Products Containing The Same

Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2009/07。

表三、專利訴訟案件基本資料：Spansion提告三星電子Nand Flash晶片專利侵權

提告日期	2008年11月17日
原告	Spansion LLC, Sunnyvale, CA
被告	Samsung Austin Semiconductor LLC Samsung Electronics America, Inc., Samsung Semiconductor, Inc., San Jose, CA; Samsung Telecommunications America, LLC, Richardson, TX
地點	U.S. District Court for the District of Delaware (DED)
案號	1:08-cv-00855
系爭專利	US6,433,383 Methods and arrangements for forming a single interpoly dielectric layer in a semiconductor device US6,509,232 Formation of STI (shallow trench isolation) structures within core and periphery areas of flash memory device US5,831,901 Method of programming a memory cell to contain multiple values US5,991,202 Method for reducing program disturb during self-boosting in a NAND flash memory US6,246,610 Symmetrical program and erase scheme to improve erase time degradation in NAND devices US6,455,888 Memory cell structure for elimination of oxynitride (ONO) etch residue and polysilicon stringers
爭議議題	有關Nand Flash晶片

Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2009/07。

(1285字，表：3)

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