2008年12月29日台灣LED磊晶龍頭晶元光電（Epistar Corporation）於哥倫比亞聯邦地方法院，對台灣全新光電（Visual Photonics Epitaxy Co.，VPEC）提起確認之訴，主張該公司產品未侵害US6,287,882、US7,335,924與US7,384,808等三件專利、專利無效與不可實施。
表一、晶元光電與全新光電訴訟簡表
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訴訟日期
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2008-12-29
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訴訟地點
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Columbia District Court
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案號
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1:08-cv-02236-RWR
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原告
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Epistar Corporation
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被告
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Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd.
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專利
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US6,287,882
Light emitting diode with a metal-coated reflective permanent substrate and the method for manufacturing the same
US7,335,924
High-brightness light emitting diode having reflective layer
US7,384,808
Fabrication method of high-brightness light emitting diode having reflective layer
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2009/01。
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代表晶元光電事務所為Finnegan Henderson Farabow Garrett & Dunner LLP 之Edward R. Yoches與Barry W. Graham。
根據訴狀指出，全新光電在2008年9月間指控晶元光電涉嫌侵犯該公司US7,335,924與US7,384,808兩件美國專利，與TW140121台灣專利，其中TW140121即是US6,287,882對應專利家族。2008年10月至11月，兩家公司針對議題進行談判，但未能達成共識。
US7,335,924專利名稱為「High-brightness light emitting diode having reflective layer」、US7,384,808專利名稱為「Fabrication method of high-brightness light emitting diode having reflective layer」、US6,287,882專利名稱為「Light emitting diode with a metal-coated reflective permanent substrate and the method for manufacturing the same」、TW140121專利名稱為「一種鍍有金屬反射鏡膜基板之發光二極體及其製造方法」。
晶元光電與全新光電先前報導，見【全新光電高亮度LED專利調查】、【晶電對廣鎵光電提起專利侵權訴訟觀察】、【晶元光電也低頭，接受Rothschild授權機制】、【新晶電專利調查與LED產業智慧資源規劃】等。
全新光電成立於1996年11月，主要產品包括1.異質接面雙載子電晶體磊晶片（HBT）；2.雷射二極體磊晶片（Laser Diode Epi-wafer）；3.高速電子移動率電晶體（PHEMT Epi-wafer）與4.超高亮度發光二極體磊晶片（HB-LED）。
2008年12月，全新光電剛宣布，鑑於LED生產線廣度與深度均不足與大廠無法競爭，將全面停工LED生產線。退出LED生產已是全新光電短期自救手段。從晶元光電與全新光電訴訟案看來，如何積極將現有無形財產轉化成現金收入，成為全新光電渡過此全球經濟大衰退重要手段。(本文：948字)
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