根據晶電（晶元光電股份有限公司，Epistar Co.）新聞稿指出，晶電已於2008年10月7日向智慧財產法院提起專利侵權訴訟，控告廣鎵光電（廣鎵光電股份有限公司，HUGA Optotech Inc.）侵犯TW148677專利，並求償新台幣貳億元。
TW148677專利摘要表如表一，TW148677及其美國專利家族US6078064，如表二。先前於2005年晶電控告璨圓，並於今年8月5日雙方和解之對應爭議專利TW144415，如表三。晶電和璨圓這項和解取得交叉授權，提高LED磊晶的進入門檻，對有意跨入LED上游的廠商設下重重專利障礙，這也說明要切入LED不是有錢就辦得到的。
(本文274字；表1568字；表3)
表一、TW148677專利摘要表
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證書號
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TW148677
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專利名稱
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氮化銦鎵發光二極體
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公告日
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2001年10月21日
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申請日
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1998年04月15日
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申請人
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晶元光電股份有限公司
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發明人
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周銘俊；李秉傑；譚昌琳；章絹明；劉家呈
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摘要
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本發明是利用一個導電且透光的氧化物層取代習知技藝的「鎳/金層」【Ni/Aulayer】作為氮化銦鎵發光二極體之光輸出層，由於此一氧化物之導電性佳， 因此，具有極佳的電流分散效益。此外，在可見光區範圍內，其穿透率亦超過90%，較習知之鎳/金層穿透率高出許多，因此，可以有效地提高發光效率。本發明 更利用擴散、或是離子佈植方式於氮化鎵接觸層的表面形成極薄而且載子濃度極高的接觸層，實施例之一也可以是成長載子濃度高的半導體當作接觸層，另一個實施 例是利用極薄的金屬當作接觸層，當氧化銦錫以濺鍍或是電子鎗蒸鍍形成其上時，可以有效地降低順向電壓。
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第一獨立項
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一種氮化銦鎵發光二極體，包含：
絕緣透光材料層，作為基材：
第一導電型氮化鎵，形成於前述之基材的上方，作為緩衝層；第一導電型氮化【鋁】鎵，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方，作為束縛層：
氮化銦鎵，形成於前述之第一導電型氮化【鋁】鎵的上方，作為發光層；
第二導電型氮化【鋁】鎵，形成於前述之氮化銦鎵的上方，作為束縛層；
第二導電型半導體材料，形成於前述之第二導電型氮化【鋁】鎵的上方，作為接觸層；
導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型氮化鎵的上方，作為電流分散及透光層；
第一電極，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方；以及
第二電極，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方。
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代表圖示
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檔案下載
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表一、專利訴訟TW148677專利摘要表 (晶電 vs 廣鎵)
表二、專利訴訟US6078064專利摘要表 (晶電 vs 廣鎵)
表三、專利訴訟TW144415專利摘要表 (晶電 vs 璨圓) |
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2008/10。
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