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特許、IBM、英飛凌與三星電子等4大半導體廠合作開發的第一款45奈米製程晶片，已正式宣佈產製成功，並預計2007年底前完成驗證，相較於台積電、聯電均計劃於2007年下半投入45奈米製程，特許、三星、IBM等有晶圓代工業務的廠商腳步絲毫不落後，對台灣廠商威脅與日俱增。
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以45奈米製程打造的晶片，效率較65奈米製程高30％以上，這讓IC設計等產品開發者在設計時能開發出更優質的產品。45奈米製程打造的晶片耗電量較低，也能切割出更多晶片，以IBM為首的4家半導體業者，其中的IBM、特許、三星預計要在2007年底前讓45奈米製程技術能夠完成安裝並通過認證，而英飛凌的45奈米製程時間則尚未發佈。
國際間大廠競逐45奈米製程技術目前以英特爾、台積電暫時領先。英特爾和美光合資的IM Flash已宣佈成功產出45奈米製程NAND型快閃記憶體晶片，跟這4家業者合作推出的功能型晶片不同。
目前功能性晶片，英特爾宣佈的45奈米製程量產時程則為2007年上半年。台積電傾向於在2007年第三季量產45奈米製程產品，而聯電也預計在2007年下半年至2008年上半年間推出。
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表一 晶圓代工廠之45奈米製程量產時間
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台積電
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聯電
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特許、IBM與三星
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時程
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2007年第三季
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2007年底
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2007年底
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Source :科技政策研究與資訊中心（STPI）整理，2006年8月
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由於特許、IBM與三星都有從事晶圓代工，因此2007年下半年可說將進入45奈米製程的晶圓代工時代。
特許挾其技術平台夥伴IBM、三星及英飛凌奧援，近年來快速累積技術實力，製程推出時程從原本在90奈米製程明顯落後，到65奈米製程已漸追平晶圓雙雄，甚至在特殊製程領域，更是少數擁有絕緣層上覆矽（SOI）技術的廠商，憑藉技術領先更使得特許在2006年上半超越中芯，穩坐全球第三大晶圓代工廠，如今又搶先推出45奈米晶片，進展速度之快震驚業界。（736字）
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