全球半導體龍頭廠英特爾在 2005 年 7 月 25 日宣佈,將計劃斥資 30 億美元在美國亞利桑那州的 Chandler 建造 1 座 12 吋晶圓廠,廠房代號為「 Fab 32 」,這亦是英特爾第六座 12 吋廠.目前此工廠預計在 2007 年下半年以最先進的 45 奈米製程技術生產.
表一 英特爾 12 吋晶圓廠情況
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地點
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晶圓廠
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建廠年
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製程
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備註
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亞利桑那州
Chandler
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Fab32
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2005
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45 nm
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預計 2007 年下半年投產
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Fab12
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1996
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65 nm
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原為 8 吋, 2004 年升級至 12 吋, 2005 年下半年投產
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新墨西哥州
Rio Rancho
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Fab11X
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2002
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90 nm
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將投資 1.05 億美元轉換目前閒置產能成為臨時測試工廠
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奧瑞岡州
Hillsboro
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D1C
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1999
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90nm 、 130 nm
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2007 年導入 45 nm 製程
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D1D
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2003
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65 nm
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2005 年導入 65 nm 製程
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愛爾蘭
Leixlip
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Fab24-2
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2004
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65 nm
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預計 2006 年第一季投產
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Source : 英特爾, Digitimes ,財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心, 2005 年 7 月
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7 月 20 日才公佈第二季財務報告的英特爾,由於產能接近滿載狀況,已經不敷需求,因此英特爾才宣布將加碼 1 億美元資本支出,加速擴產的同時,又再一次宣布建廠的動作,將使得英特爾在未來的電腦微處理器、晶片組、甚至通訊晶片方面,能夠拉大與競爭對手的距離.
英特爾位於亞利桑那州 Chandler 最新 12 吋廠,廠房面積約達 100 萬平方英尺,其中,無塵室面積約達 18.4 萬平方英尺,估計建造該廠所需資金高達 30 億美元,可望在 2 年內加入生產行列,並將導入最先進 45 奈米製程。英特爾估計,新廠可望為當地增加 1,000 個工作機會,廠房興建期間,預估還另需增聘 3,000 名人手,帶動當地就業機會。
目前英特爾的 4 座 12 吋產能相當於 8 座 8 吋晶圓廠的產能,其分別座落在 新墨西哥州、奧瑞岡州與愛爾蘭等地區.至於即將投入量產的 亞利桑那州 Fab 12 ,以及在愛爾蘭 Fab 24-2 擴充的產能,分別都將在 2005 年下半年以及 2006 年第一季正式加入投產行列.未來只要 Fab 32 也加入 12 吋晶圓廠的生產,將能拉大與超微以及其他廠商競爭優勢.( 722 字)
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