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SK海力士、三星和美光於2024年都將量產HBM3E,積極搶奪AI商機

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科技產業資訊室 - 茋郁 發表於 2024年3月13日
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圖、SK海力士、三星和美光於2024年都將量產HBM3E,積極搶奪AI商機

SK海力士公司正在加大在先進晶片封裝方面的支出,希望能更多地滿足AI關鍵零組件之高頻寬記憶體(HBM)不斷成長的需求。SK海力士認為半導體產業的前50年一直都注重在前端製程的發展,但接下來的50年將主要關注後端的封裝。

AI記憶體HBM的優勢核心是在於製程創新,進一步降低功耗、提高性能是鞏固企業在HBM市場領先地位的關鍵。因此,SK海力士預計2024年將在韓國投資超過10億美元,以擴大和改進其晶片製造的封裝。

雖然SK海力士尚未披露2024年的資本支出預算,但分析師平均預估該數字為14 兆韓元(約105億美元)。這表明SK海力士將投資先進封裝約十分之一的資本支出,這表示其是一個主要優先事項。

前幾年,SK海力士開創了一種封裝的第三代技術HBM2E的新穎方法,該方法很快就被其他兩家主要記憶體製造商效仿。也由於這項創新讓SK海力士在2019年底贏得輝達客戶的青睞。

接下來,輝達正在將SK海力士最新的HBM3和HBM3E記憶體模組用於其當前、增強型和下一代AI GPU,包括即將推出的Hopper H100、Hopper H200(首款配備HBM3E記憶體的AI GPU)及其下一代Blackwell B100 AI GPU。

同一時間,三星預計將在NVIDIA GTC 2024上以實體形式展示其全新大容量36GB HBM3E 12-Hi堆疊記憶體。三星預計在未來幾個月內將開始量產,輝達似乎也將其納入H200和B100 AI GPU的主要HBM記憶體供應商。這表示三星正在努力追趕SK海力士在HBM記憶體技術上的領先優勢。

其實,2013年當SK海力士和美國合作夥伴超微向全世界推出HBM記憶體時,根本沒有一家對手能在這裡與其競爭,並讓其維持了兩年優勢內。一直到2015年底,三星才警覺在HBM記憶體技術落後之下,終於開發出HBM2。

至於美光,已開始大量生產用於生成式AI和高效能運算的HBM3E,並成功整合至輝達H200 GPU中,該GPU將於2024年第二季開始出貨。

基本上,HBM3E晶片堆疊了12個24 GB DRAM晶片,峰值記憶體頻寬為每秒1.28 TB。與前身八堆疊HBM3相比,這兩個方面都提高了50%。更重要的是HBM3E晶片的高度與八層晶片相同,可以滿足目前的封裝要求,這是透過應用先進的熱壓縮非導電薄膜(TC NCF)技術實現的。美光還降低了NCF材料的厚度,實現了業界最小的晶片間隙7微米。

總之,這三大記憶體廠商正加速參與這一場生成式AI盛會,搶奪未來幾年的AI商機。(1026字;圖1)


參考資料:
Samsung expected to unveil world's first HBM3e 12-High memory at NVIDIA GTC 2024. Tweak town, 2024/03/06.


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