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三星EUV計畫曝光,戰略從7奈米到4奈米

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科技產業資訊室 - Gloria 發表於 2019年8月5日

圖、三星先進技術的藍圖

去年(2018)10月,三星晶圓代工正式開始使用其7奈米LPP(7nm low power plus)製程生產晶片,此後並未放緩其製程技術的發展。該公司有望在2019年下半年採用其精製的6奈米LPP技術開始量產。此外,該公司表示將推出首款5奈米LPE(5 nm low power early)單晶片,並且將在未來幾個月內完成其4奈米LPE製程開發。

三星稱,其合約生產部門使用10奈米LPP / 8奈米LPP製程製造的行動單晶片需求強勁,以及使用14奈米LPx / 10奈米LPP製程製造的行動、HPC、汽車和網路產品的需求也很強勁。總體來說,三星晶圓代工使用其領先的FinFET製程技術生產大量高端產品。

正如所料,極紫外光刻(extreme ultraviolet lithography, EUVL)將成為三星領先的下一代製程技術的關鍵推動因素。三星使用EUV的第一項技術是7奈米LPP,其後續產品將更廣泛地採用它。

今年(2019)晚些時候,三星將採用其6奈米LPP製程技術開始生產晶片。三星的6奈米LPP是三星7奈米LPP的精製版,在可以重複使用7奈米LPP設計IP前提下,能夠帶來10%的電晶體密度提升且更低功耗。此外,6奈米LPP為願意開發全新IP的客戶提供智慧結構支援。除了智慧結構之外,6奈米LPP還將增加對多擴散(Multi diffusion break)等功能的支援。

三星7奈米LPP生產技術演進的下一步將是5奈米LPE製程技術。與6奈米LPP相比,5奈米LPE在功率,性能和面積方面提供了更多的好處,但也可以重新使用原始設計的IP。三星預計將在今年(2019)下半年推出使用其5奈米LPE技術的首批晶片,預計將在2020年上半年大規模生產。

三星晶圓代工預計5奈米LPE將成為其2020年的主要EUVL節點,主要是該技術能夠為各種應用提供眾多優勢,而且到時候三星的EUV良率會更高。6奈米LPP5奈米LPE將比7奈米LPP製程更廣泛使用的另一個原因是因為三星工廠將在未來幾個月內建立更多的EUV生產線。三星位於華城的工廠耗資46.15億美元,不久將完工,預計將於2020年開始進入量產階段。

至於三星7奈米LPP發展的巔峰之作將是該公司的4奈米LPE技術。目前預計在今年(2019)下半年將完成4奈米LPE開發的工作,因此預計2020年開始製程設計定案(Tape out),並將在2021年的某個季節進入量產階段。(716字)


Source:三星晶圓代工,2019年8月
 

參考資料:
Samsung’s Aggressive EUV Plans: 6nm Production in H2, 5nm & 4nm On Track. AnandTech,2019/7/31


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