三星公布新型SSD與Intel正面對決

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科技產業資訊室 (iKnow) - Hana 發表於 2016年9月26日

圖、三星公布新型SSD與Intel正面對決
資料來源：Chosun Biz

韓國三星電子日前罕見地在美國Santa Clara舉辦的「Flash Memory Summit 2016」公開尚未量產的1TB容量的Z NAND SSD（如圖一）產品。此舉被半導體業者解讀為想要牽制Intel與美光陣營。由於先前Intel大動作宣布要再進入睽違30年的記憶體市場，並與美光合作推出新型3D Memory Cross Point產品。業界推測此舉讓三星電子倍感壓力，故不得不提前把尚在開發中的產品消息公開，試圖杜絕Intel與美光聯手改變SSD市場版圖。

三星電子這次公開Z NAND SSD是適合高性能數據中心（Data Center）使用的記憶體，與三星電子現行產品的技術地圖方向不同。由於Z NAND SSD是採用三星電子特有的3D垂直構造的V NAND晶片，連續讀取速度為每秒2.56GB、延遲速度僅7.5微秒，相較於三星現有的SSD產品，連續讀取速度快上1.6倍、延遲速度縮短了4倍，此產品預計會在年底前量產上市。此外，記憶體部門還表態次世代的主力產品將會是64層的512GB NAND Flash產品。

Intel與美光開發出相變化記憶體（PRAM）類型的Cross Point技術，並藉以製造出新型SSD產品，使得SSD市場龍頭的三星電子不得不提前把和功能相仿的Z NAND SSD提前亮相。儘管Z NAND SSD尚未明確上市日期，但售價預計會比現有的TLC Flash貴、比Cross Point便宜，藉此讓三星電子的性價比更具市場競爭力。畢竟三星電子的V NAND技術已經成熟且取得相關業者的肯定，但Intel的Cross Point技術是性能尚未實際驗證過的新興技術，在價格相對偏高的情況下，客戶的選擇顯而易見。

三星電子如此看重SSD市場是因為DRAM價格持續下跌，導致半導體的利潤大幅縮水，反而高性能SSD市場因為大數據興起，數據中心設立增加進而促使SSD市場規模急速上升。根據市場調查機構Gartner的報告，全球SSD市場規模可望從2013年的110億美元成長到2017年的235億美元，SSD佔全球儲存裝置的比重也已經從2010年的6.5%提高到2014年的31.5%，預計2016年時的比重將會超過50%，可以說掌握SSD市場就能掌握半導體市場。

在所有硬碟存儲裝置產品當中利潤最高的產品就是高性能SSD，倘若SSD市場被Intel搶走，三星電子將失去存儲裝置市場主導權外，甚可能失去半導體龍頭寶座，那麼韓國經濟恐將面臨崩盤危機。(738字；圖1)

參考資料：

삼성, 로드맵까지 변경하며 인텔 정조준...차세대 메모리 경쟁 '점화'. ChosumBiz, 2016/08/12.

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