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半導體測試方法訴訟,DRAM Memory Technologies控告海力士

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科技產業資訊室 —Joy 撰稿 發表於 2011年12月26日

2011年11月18日,位於美國加州的專利控股公司DRAM Memory Technologies以2項專利侵權為由,向韓國半導體廠商海力士(Hynix)提出控訴,這是DRAM Memory Technologies繼今年(2011)3月向鈺創科技等廠商提出告訴以來的再一次訴訟行動,全案將由加州中部聯邦地院負責審理調查。

本次的2項系爭專利編號為US5,511,029以及US5,748,560,專利發明人為Seiji Sawada和Yasuhiro Konishi兩人,原專利權屬三菱電機(Mitsubishi)所有並經技術移轉予DRAM Memory Technologies,主要涉及半導體電路的測試方法。

Publication Title Assignee Pub. Date Filed
US5748560  Synchronous semiconductor memory device with auto precharge operation easily controlled Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha  1998-05-05   1996-10-28 
US5511029  Test circuit in clock synchronous semiconductor memory device Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha  1996-04-23   1994-05-19 

其實就在本次訴訟提出的同一時間,另一家專利控股公司Semiconductor Technologies也對本案被告海力士提出了訴訟,詳見前期文章:【半導體設計訴訟, Semiconductor Technologies 控告韓商海力士】,而就兩案的系爭專利進行比對,日商半導體公司都分別在其中都扮演了相當重要的角色,因此兩案實際上很有可能就是日商半導體公司用來對付海力士的商業競爭手段。

原告DRAM Memory Technologies是一家新興的專利控股公司,包括本案在內過去只有兩次的訴訟記錄,然而它主要的系爭專利皆來自日本三菱電機之手,以目前三菱電機擁有超過2萬項的專利數量看來,DRAM Memory Technologies的專利資源來源可說不虞匱乏。(429字;表1)

表一、專利訴訟案件基本資料:DRAM Memory Technologies控告海力士

訴訟名稱 DRAM Memory Technologies LLC v. Hynix Semiconductor America Inc et al
提告日期 2011年11月18日
原告 DRAM Memory Technologies LLC
被告
  • Hynix Semicondector, Inc
  • Hynix Semiconductor America Inc
  • Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc
案號 8:2011cv01789
訴訟法院 THE CENTRAL DISTRICT OF CALIFORNIA
系爭專利 US5,511,029、US5,748,560
訴狀下載  

Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理,2011/12


 
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