2014年6月6日，TSMC Technology, Inc., INC., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited以及TSMC North America Corp.(以下合稱TSMC）在美國達拉威聯邦地方法院（The District Court for the District of Delaware）提起專利侵權確認之訴。TSMC指稱，其並未侵害Zond, LLC(以下稱Zond)所擁有的US6,806,651 (以下稱’651專利)、US6,896,773 (以下稱’773專利)、US6,896,775 (以下稱’775專利)、US6,903,511 (以下稱’511專利)、US7,095,179 (以下稱’179專利)、US7,446,479 (以下稱’479專利)六項美國專利。
Zond成立於2002年，是一家高密度電漿技術研發公司，在美國已取得25項相關技術專利權。Zond旗下設有子公司Zpulser, LLC，專門製造、銷售利用其專利技術之特殊高功率電漿產生器(unique high-power plasma generators)相關產品。
本案系爭如下，六項專利發明人都是Zond公司的共同創辦人及總裁Chistyakov，專利技術皆是與強電離電漿生成、強離子化電漿之濺鍍以及利用強離子化電漿來形成微小節點相關技術：
’651專利名稱「高密度電漿源(High-density plasma source)」
’773專利名稱「高沉積速率濺鍍(High deposition rate sputtering)」
’775專利名稱「高功率脈衝磁控增強電漿處理程序(High-power pulsed magnetically enhanced plasma processing)」
’511專利名稱「均勻分布之電漿生成(Generation of uniformly-distributed plasma)」
’179專利名稱「在游離不穩定性下產生強離子化電漿之方法和裝置Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities」
’479專利名稱「高密度電漿源(High-density plasma source)」，
TSMC指稱，從2013年7月起，Zond開始在美國麻州聯邦地方法院發動專利侵權訴訟，控告磁控濺鍍式設備之使用者專利侵權，該設備之使用者多為半導體產品之製造商。在Zond所發動的七件侵權訴訟中，即有六件是針對半導體製造商而來，TSMC亦是該七件侵權訴訟被告之ㄧ。
Zond選擇控告使用磁控濺鍍式設備之半導體製造商，而非生產販賣該設備之製造商，其目的無非是為了取得更多授權或和解金。且Zond用了相同的專利與訴狀提告該六個半導體製造商，亦被其中一訴訟案之法官指為其所見過最為薄弱之專利侵權訴訟案件(Zond, LLC v. Fujitsu Semiconductor Limited et al., 1:13- 11634-WGY (D. Mass. Nov. 26, 2014) (Hearing Trans. at 6:9-11))。但由於該些訴訟之系爭專利同時在USPTO被提起專利雙方復審程序(inter partes)，因此在等待專利審判暨上訴委員會(PTAB)做出最後決定之前，訴訟程序已暫時停止。惟於2014年6月5日，TSMC收到Zond之警告函，Zond表示將提起另一訴訟，控告TSMC專利侵權，亦即侵害本案六項系爭專利。鑒於Zond可能立即對TSMC所造成的實際傷害與威脅，TSMC提起專利不侵權確認之訴，請求法院判決TSMC未直接、幫助與教唆侵害系爭六項專利權，且Zond需負擔本訴訟之訴訟與律師費用。(1055字；表2)
表一、系爭專利資料
| 專利名稱 |
High-density plasma source |
High deposition rate sputtering |
| 公告號 |
US6,806,651 |
US6,896,773 |
| 出版類型 |
授權 |
授權 |
| 申請書編號 |
10/249,595 |
10/065,739 |
| 發佈日期 |
2004年10月91日 |
2005年5月24日 |
| 申請日期 |
2003年4月22日 |
2002年11月14日 |
| 優先權日期 |
無 |
無 |
| 發明人 |
Chistyakov; Roman |
Chistyakov; Roman |
| 原專利權人 |
Zond, Inc. |
Zond, Inc. |
| 圖示 |
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| 專利名稱 |
High-power pulsed magnetically enhanced plasma processing |
Generation of uniformly-distributed plasma |
| 公告號 |
US6,896,775 |
US 6,903,511 |
| 出版類型 |
授權 |
授權 |
| 申請書編號 |
10/065,551 |
10/249,774 |
| 發佈日期 |
2005年5月24日 |
2005年6月7日 |
| 申請日期 |
2002年10月29日 |
2003年5月6日 |
| 優先權日期 |
無 |
無 |
| 發明人 |
Chistyakov; Roman |
Chistyakov; Roman |
| 原專利權人 |
Zond, Inc. |
Zond, Inc. |
| 圖示 |
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| 專利名稱 |
Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities |
High-density plasma source |
| 公告號 |
US7,095,179 |
US7,446,479 |
| 出版類型 |
授權 |
授權 |
| 申請書編號 |
09/907,076 |
10/553,893 |
| 發佈日期 |
2006年8月22日 |
2008年11月4日 |
| 申請日期 |
2004年2月22日 |
2004年4月7日 |
| 優先權日期 |
無 |
無 |
| 發明人 |
Chistyakov; Roman |
Chistyakov; Roman |
| 原專利權人 |
Zond, Inc. |
Zond, Inc. |
| 圖示 |
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2014/06
表二、專利訴訟案件基本資料：
| 訴訟名稱 |
TSMC Technology, Inc., INC., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited, TSMC North America Corp. v. Zond, LLC |
| 提告日期 |
2014年6月6日 |
| 原告 |
TSMC Technology, Inc., INC., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited, TSMC North America Corp. |
| 被告 |
Zond, LLC |
| 案號 |
1:14-cv-00721 |
| 訴訟法院 |
The District Court for the District of Delaware |
| 系爭專利 |
US6,806,651、US6,896,773、US6,896,775、US6,903,511、US7,095,179、US7,446,479 |
| 系爭產品 |
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| 訴狀下載 |
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Source: 科技政策研究與資訊中心 — 科技產業資訊室整理，2014/06