資料來源:中華民國經濟部 工業局
發佈日期:2007/06/12
12吋晶圓開創產業嶄新世代
全球半導體產業發展至今,近年在新興市場逐漸蓬勃發展的導引下,產能已從美、日、歐等過去半導體產業先進國家轉移至亞太地區。我國半導體產業自1996年開始發展,歷經了萌芽、技術引進、技術自立及擴散期,我國廠商以成本領導策略與代工模式引領市場,締造半導體製造業代工模式的成功,在8吋晶圓廠世代即建立了龐大的產能,晶圓代工業目前已成為全球第一大,DRAM製造業也建立了穩固的基礎。
2000年以後全球陸續進入12吋晶圓廠世代,雖然初期階段對於12吋晶圓廠龐大的投資額,以及可能存在的風險仍存有疑慮。但2004年適逢DRAM景氣暢旺,間接促成了半導體產業12吋晶圓時代的來臨,台灣DRAM產業也嚐到了投資12吋晶圓廠所帶來的成本效益及豐厚的獲利,促使廠商更積極建置12吋晶圓廠拓展經濟規模,並在製程技術上不斷提升;因此,12吋晶圓廠的建置與先進製程的研發,遂成為當前我國半導體製造廠商提昇競爭力之重要發展策略。
我國半導體產業的新競爭優勢
我國半導體產業群聚效應明顯,在全球的半導體產業已佔有舉足輕重的角色,而在我國政府的大力扶植下,成功營造了我國良好的投資環境。因此,2006年全球第5大DRAM廠日商爾必達(Elpida)與國內DRAM領導廠商力晶合資成立瑞晶電子,規劃於五年內在中科興建四座12吋晶圓廠。未來瑞晶電子將結合我國廠商成本控制與建廠速度等彈性應變優勢,與日商先進記憶體技術,提升我國DRAM技術自主能力,並逐步擴大產品的全球市占率。
除此之外,力晶並於今年(2007)初宣布將在中科興建4座12吋晶圓廠,茂德也宣布從今年(2007)9月起在中科開始興建4座12吋晶圓廠,而華亞及南亞也相繼宣布將再興建12吋廠;另外在專業晶圓代工廠商方面,今年(2007)1月聯電已在南科動土興建12吋廠,台積電也預計於今年(2007)第3季在竹科動土興建12吋廠。總計我國目前已有13座量產中,7座建置中之12吋廠,而規劃中的12吋廠更達19座,不僅為全球12吋晶圓廠密度最高之國家,更是擁有全球超過1/3晶圓製造產能之生產重鎮。使得12吋晶圓廠的製造能量,已成為我國半導體產業新的競爭優勢。
因應高階製程研發成本,我國半導體業者成為國際大廠競相聯盟之對象
12吋廠的發展已徹底改變了半導體產業的生態,目前全球擁有8吋晶圓廠的公司超過70家,但擁有12吋晶圓廠的卻僅不到30家,12吋晶圓廠昂貴的建廠成本與後續製程開發費用,促使未來這30家中可能只有不到一半會再投資新廠與進行65nm以下製程技術的開發。舉例來說:台積電將於歐洲比利時微電子技術研究所(IMEC)及新竹研發總部,同步與恩智浦(NXP)展開45奈米製程嵌入式非揮發性技術合作,鎖定快閃記憶體(Flash)先進製程研發;另外,德州儀器(TI)宣布與台積電共同研發45奈米數位訊號處理器 (DSP)之製程技術,並進而取得45奈米DSP訂單。TI更近一步表示已決定停止研發45奈米以下製程技術,未來的32奈米和22奈米製程將借助於晶圓代工廠;而我國另一家晶圓代工廠-聯電也於今年2月與美商賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)建立合作關係,雙方攜手合作開發嵌入式記憶體之65奈米及45、32奈米以下先進製程技術,共創雙贏局面。
TI與NXP等國際IDM大廠相繼宣告退出45nm與65nm以下的先進製程研發,轉而推行Fab-lite策略,此委外代工趨勢將使目前量產的12吋晶圓廠座數與產能均居世界第一的我國擁有競爭優勢,受惠Foundry產業,而DRAM產業的微縮與成本壓力使得國際DRAM大廠紛紛與台灣業者建立更緊密的合資關係。
當年日本憑藉大量6吋廠取得全球DRAM領先地位,隨後韓國又以8吋廠取代日本的地位,在現今12吋廠當道的時代,台灣的積極投入終於要開始展現其競爭優勢,未來在持續12吋晶圓廠擴建下,當可不斷累積其成本與技術優勢,確保台灣持續維持獲利與12吋產能領先全球的地位。
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