資料來源：中華民國經濟部 工業局
發佈日期：2007/06/12
12吋晶圓開創產業嶄新世代
全球半導體產業發展至今，近年在新興市場逐漸蓬勃發展的導引下，產能已從美、日、歐等過去半導體產業先進國家轉移至亞太地區。我國半導體產業自1996年開始發展，歷經了萌芽、技術引進、技術自立及擴散期，我國廠商以成本領導策略與代工模式引領市場，締造半導體製造業代工模式的成功，在8吋晶圓廠世代即建立了龐大的產能，晶圓代工業目前已成為全球第一大，DRAM製造業也建立了穩固的基礎。
2000年以後全球陸續進入12吋晶圓廠世代，雖然初期階段對於12吋晶圓廠龐大的投資額，以及可能存在的風險仍存有疑慮。但2004年適逢DRAM景氣暢旺，間接促成了半導體產業12吋晶圓時代的來臨，台灣DRAM產業也嚐到了投資12吋晶圓廠所帶來的成本效益及豐厚的獲利，促使廠商更積極建置12吋晶圓廠拓展經濟規模，並在製程技術上不斷提升；因此，12吋晶圓廠的建置與先進製程的研發，遂成為當前我國半導體製造廠商提昇競爭力之重要發展策略。
我國半導體產業的新競爭優勢
我國半導體產業群聚效應明顯，在全球的半導體產業已佔有舉足輕重的角色，而在我國政府的大力扶植下，成功營造了我國良好的投資環境。因此，2006年全球第5大DRAM廠日商爾必達（Elpida）與國內DRAM領導廠商力晶合資成立瑞晶電子，規劃於五年內在中科興建四座12吋晶圓廠。未來瑞晶電子將結合我國廠商成本控制與建廠速度等彈性應變優勢，與日商先進記憶體技術，提升我國DRAM技術自主能力，並逐步擴大產品的全球市占率。
除此之外，力晶並於今年（2007）初宣布將在中科興建4座12吋晶圓廠，茂德也宣布從今年（2007）9月起在中科開始興建4座12吋晶圓廠，而華亞及南亞也相繼宣布將再興建12吋廠；另外在專業晶圓代工廠商方面，今年（2007）1月聯電已在南科動土興建12吋廠，台積電也預計於今年（2007）第3季在竹科動土興建12吋廠。總計我國目前已有13座量產中，7座建置中之12吋廠，而規劃中的12吋廠更達19座，不僅為全球12吋晶圓廠密度最高之國家，更是擁有全球超過1/3晶圓製造產能之生產重鎮。使得12吋晶圓廠的製造能量，已成為我國半導體產業新的競爭優勢。
因應高階製程研發成本，我國半導體業者成為國際大廠競相聯盟之對象
12吋廠的發展已徹底改變了半導體產業的生態，目前全球擁有8吋晶圓廠的公司超過70家，但擁有12吋晶圓廠的卻僅不到30家，12吋晶圓廠昂貴的建廠成本與後續製程開發費用，促使未來這30家中可能只有不到一半會再投資新廠與進行65nm以下製程技術的開發。舉例來說：台積電將於歐洲比利時微電子技術研究所（IMEC）及新竹研發總部，同步與恩智浦（NXP）展開45奈米製程嵌入式非揮發性技術合作，鎖定快閃記憶體（Flash）先進製程研發；另外，德州儀器（TI）宣布與台積電共同研發45奈米數位訊號處理器 (DSP)之製程技術，並進而取得45奈米DSP訂單。TI更近一步表示已決定停止研發45奈米以下製程技術，未來的32奈米和22奈米製程將借助於晶圓代工廠；而我國另一家晶圓代工廠-聯電也於今年2月與美商賽普拉斯半導體公司（Cypress Semiconductor）建立合作關係，雙方攜手合作開發嵌入式記憶體之65奈米及45、32奈米以下先進製程技術，共創雙贏局面。
TI與NXP等國際IDM大廠相繼宣告退出45nm與65nm以下的先進製程研發，轉而推行Fab-lite策略，此委外代工趨勢將使目前量產的12吋晶圓廠座數與產能均居世界第一的我國擁有競爭優勢，受惠Foundry產業，而DRAM產業的微縮與成本壓力使得國際DRAM大廠紛紛與台灣業者建立更緊密的合資關係。
當年日本憑藉大量6吋廠取得全球DRAM領先地位，隨後韓國又以8吋廠取代日本的地位，在現今12吋廠當道的時代，台灣的積極投入終於要開始展現其競爭優勢，未來在持續12吋晶圓廠擴建下，當可不斷累積其成本與技術優勢，確保台灣持續維持獲利與12吋產能領先全球的地位。
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