NandFlash專利戰爭Sandisk vs. Micron

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2014年12月24日

最近，2014年12月15日一家專利授權公司Innovative Memory Solutions Inc.於德拉瓦州聯邦地方法院提告Micron Technology Inc.侵權，Innovative Memory Solutions主張被告侵犯其所擁有八件專利US 6,169,503、US 6,324,537、US 6,901,498、US 7,000,063、US 7,045,849、US 7,085,159、US 7,495,953、US 7,886,212，有關數位資料及類比資料轉換方法、資料存取控制方法、非揮發性記憶體缺失邊界調整、限制可寫入次數的記憶體及方法、將半導體結構孔洞用於隔離、高度壓縮非揮發性記憶體內部序號匯流排方法、配置補償系統及輸出NAND介面的NAND快閃記憶體控制器，違反35 U.S.C. §271(a)因而造成侵權行為。

本案系爭專利八件專利，皆屬於Sandisk所擁有，其中US 6,324,537原始專利權人M-Systems公司，後於2006年被Sandisk併購後而納入。之後，該八件專利部分專利於2014年轉移給本案原告Innovative Memory Solutions Inc.公司。據此推測Innovative Memory Solutions Inc.應該是Sandisk所設立專利授權公司，協助Sandisk進行專利授權業務。

由於，Sandisk 與Micron是市場直接競爭的廠商，充分運用專利作為阻擋對方市場成長的策略武器。事實上，新帝Sandisk 與美光Micron兩家公司訴訟戰爭，早於2012年5月發生至現在已有四件，且雙方也設立專利授權公司利用分身進行代理人專利戰。Micron於2010年轉讓大批專利給Round Rock Research LLC公司，Sandisk初期仍以本尊對抗Micron及Round Rock，後於本案開始(2014年12月)將部分專利轉讓給Innovative Memory Solutions Inc.公司，建立防火牆以對抗Micron。

圖一、NandFlash 專利戰爭 Sandisk vs. Micron

從市場競爭來看，NandFlash應用很廣泛，從手機、平板、MPs、USB、SSD、閃存卡等產品。東芝計畫與全球記憶卡龍頭新帝（SanDisk）合作，在日本三重縣四日市半導體工廠內興建新廠房，於2016年開始量產3D NAND型快閃記憶體，其容量可擴增至現行產品16倍之多。雙方共同營運的四日市工廠內的閒置廠房改建成3D NAND型快閃記憶體專用廠房，投資規模高達5千億日圓，期望能夠在技術與量產上保持領先。

2009年8月美光與英特爾(Intel)宣布共同設立的NAND合資企業IM Flash Technologies，以34奈米NAND製程，開發了3-bit-per-cell新技術，生產出目前市場上尺寸最小、性價比最高的32Gb晶片。該晶片因具有高密度和高性價比的特性，因此適用於快閃記憶卡和USB驅動器等消費儲存設備。

之後，美光科技又於2012年6月底同意收購正進行經營重組的DRAM廠商爾必達，購併金額預估將達到2千億日圓(約25億美元)。美光併購爾必達之後，兩家公司之營收市場佔有率將達24.8%，超越海力士的24.2%，躍居全球第二大DRAM廠商。

當商業競爭就是一場內外部資源整合的總體戰，尤其運用具有法律效力的專利權作為商業競爭的武器時，活用專利排他權(Exclusive Right)的威嚇效力對於商業競爭的衝擊及影響，不容小覷。美光陣營與新帝陣營的市場爭奪戰，正要開始。(1020字；圖1；表2)

表一、Sandisk 與Micron兩家公司專利侵權訴訟戰爭

專利侵權案件	案號	受理法院	提告日期
Innovative Memory Solutions Inc. v. Micron Technology Inc.	1:14-cv-01480	D.Del.	2014/12/15
Round Rock Research LLC v. SanDisk Corp.	1:14-cv-01456	D.Del.	2014/12/3
Sandisk Corporation v. Round Rock Research LLC	1:14-cv-00352	D.Del.	2014/3/19
Round Rock Research LLC v. Sandisk Corporation	1:12-cv-00569	D.Del.	2012/5/3

表二、系爭專利基本資料表

專利基本資料	代表圖示
本案系爭專利US 6,169,503 Programmable arrays for data conversions between analog and digital 公開號US6169503 B1 出版類型授權申請書編號US 09/159,704 發佈日期2001年1月2日申請日期1998年9月23日優先權日期1998年9月23日發明人Sau C. Wong 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 6,324,537 Device, system and method for data access control 公開號US6324537 B1 出版類型授權申請書編號US 09/409,091 發佈日期2001年11月27日申請日期1999年9月30日優先權日期1999年9月30日發明人Dov Moran 原專利權人M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd.
本案系爭專利US 6,901,498 Zone boundary adjustment for defects in non-volatile memories 公開號US6901498 B2 出版類型授權申請書編號US 10/315,451 發佈日期2005年5月31日申請日期2002年12月9日優先權日期2002年12月9日發明人Kevin M. Conley 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 7,000,063 Write-many memory device and method for limiting a number of writes to the write-many memory device 公開號US7000063 B2 出版類型授權申請書編號US 09/972,787 發佈日期2006年2月14日申請日期2001年10月5日優先權日期2001年10月5日發明人David R. Friedman, J. James Tringali 原專利權人Matrix Semiconductor, Inc.
本案系爭專利US 7,045,849 Use of voids between elements in semiconductor structures for isolation 公開號US7045849 B2 出版類型授權申請書編號US 10/443,502 發佈日期2006年5月16日申請日期2003年5月21日優先權日期2003年5月21日發明人 Jian Chen, Masaaki Higashitani 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 7,085,159 Highly compact non-volatile memory and method therefor with internal serial buses 公開號US7085159 B2 出版類型授權申請書編號US 11/122,738 發佈日期2006年8月1日申請日期2005年5月5日優先權日期2002年9月24日發明人Raul-Adrian Cernea 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 7,495,953 System for configuring compensation 公開號US7085159 B2 出版類型授權申請書編號US 11/122,738 發佈日期2006年8月1日申請日期2005年5月5日優先權日期2002年9月24日發明人Raul-Adrian Cernea 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 7,886,212 NAND flash memory controller exporting a NAND interface 公開號US7886212 B2 出版類型授權申請書編號US 12/610,868 發佈日期2011年2月8日申請日期2009年11月2日優先權日期2005年9月26日發明人Menahem Lasser 原專利權人Sandisk Il Ltd.

Source: 科技政策研究與資訊中心 — 科技產業資訊室整理，2014/12

表三、專利訴訟案件基本資料：Innovative Memory Solutions Inc.指控Micron Technology Inc.侵權

訴訟名稱	Innovative Memory Solutions Inc. v. Micron Technology Inc.
提告日期	2014/12/15
原告	Innovative Memory Solutions Inc.
被告	Micron Technology Inc.
案號	1:14-cv-01480-UNA
訴訟法院	Delaware District Court
爭議專利	US 6169503；US 6324537；US 6901498；US 7000063；US 7045849；US 7085159；US 7495953；US 7886212
訴狀下載

Source：科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2014/12

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專利基本資料	代表圖示
本案系爭專利US 6,169,503 Programmable arrays for data conversions between analog and digital 公開號US6169503 B1 出版類型授權申請書編號US 09/159,704 發佈日期2001年1月2日申請日期1998年9月23日優先權日期1998年9月23日發明人Sau C. Wong 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 6,324,537 Device, system and method for data access control 公開號US6324537 B1 出版類型授權申請書編號US 09/409,091 發佈日期2001年11月27日申請日期1999年9月30日優先權日期1999年9月30日發明人Dov Moran 原專利權人M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd.
本案系爭專利US 6,901,498 Zone boundary adjustment for defects in non-volatile memories 公開號US6901498 B2 出版類型授權申請書編號US 10/315,451 發佈日期2005年5月31日申請日期2002年12月9日優先權日期2002年12月9日發明人Kevin M. Conley 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 7,000,063 Write-many memory device and method for limiting a number of writes to the write-many memory device 公開號US7000063 B2 出版類型授權申請書編號US 09/972,787 發佈日期2006年2月14日申請日期2001年10月5日優先權日期2001年10月5日發明人David R. Friedman, J. James Tringali 原專利權人Matrix Semiconductor, Inc.
本案系爭專利US 7,045,849 Use of voids between elements in semiconductor structures for isolation 公開號US7045849 B2 出版類型授權申請書編號US 10/443,502 發佈日期2006年5月16日申請日期2003年5月21日優先權日期2003年5月21日發明人 Jian Chen, Masaaki Higashitani 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 7,085,159 Highly compact non-volatile memory and method therefor with internal serial buses 公開號US7085159 B2 出版類型授權申請書編號US 11/122,738 發佈日期2006年8月1日申請日期2005年5月5日優先權日期2002年9月24日發明人Raul-Adrian Cernea 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 7,495,953 System for configuring compensation 公開號US7085159 B2 出版類型授權申請書編號US 11/122,738 發佈日期2006年8月1日申請日期2005年5月5日優先權日期2002年9月24日發明人Raul-Adrian Cernea 原專利權人Sandisk Corporation
本案系爭專利US 7,886,212 NAND flash memory controller exporting a NAND interface 公開號US7886212 B2 出版類型授權申請書編號US 12/610,868 發佈日期2011年2月8日申請日期2009年11月2日優先權日期2005年9月26日發明人Menahem Lasser 原專利權人Sandisk Il Ltd.