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三星電子和SK海力士將削減2020年DRAM、Flash投資預算

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科技產業資訊室 - 何思穎 發表於 2019年11月27日

圖、三星和SK海力士將削減2020年DRAM、Flash投資預算

因應DRAM、NAND Flash半導體市場放緩,三星電子和SK海力士預計削減2020年投資預算,他們認為,5G智慧手機的晶片需求成長力並不足以抵消英特爾延遲推出新CPU導致的晶片需求下滑。
 
根據IC market的報告顯示,2017年到2019年,三星在半導體設備上的投資額達668億美元,遠遠超過了英特爾的430億美元,位居第二。因此有半導體產業專家表示,三星相信公司在半導體領域的投資速度有必要進行調整。
 
所以,三星的「彈性投資」策略被半導體產業視為削減投資。DDR4 8 Gb DRAM的定價在10月為2.81美元,比9月下降了4.42%,而在跌價期間增加投資只會加速價格的下跌,三星也透露了中國西安2廠和在南韓平澤2廠明年的運營計劃,但並未指明生產項目和數量。
 
SK海力士方面,近期也宣布減少投資額:「相比今年(2019),明年DRAM和NAND flash產量都將減少,也因此將大幅減少明年的投資額。」NAND flash的利潤低於DRAM,其價格在2019年上半年跌至損益平衡點(BEP)。因此,若DRAM價格沒有反彈,記憶體半導體產業的收益不會提高。此外,今年SSD出口下降47%,累計至今年第三季達31.37億美元。
 
三星和海力士都希望2020年上半年能保持其DRAM庫存在可控制範圍,這兩家公司將通過調整產量來削減庫存,此舉也意味著利潤不太可能增加。三星電子正透過將10nm 1X生產線轉為10nm 1Y生產線,並將部分DRAM設備轉為CMOS影像感測器生產線以調整其出貨量。(480字;圖1)
 
 
參考資料:
Samsung Electronics and SK Hynix to Cut Semiconductor Investment Next Year. BusinessKorea, 2019/11/25


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