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富士通將推出高密度8Mbit ReRAM、適用於小型穿戴裝置

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富士通 新聞稿 發表於 2019年8月8日

圖、MB85AS8MT的三大特色與相關應用

富士通 2019年8月8日宣布推出8Mbit ReRAM(註1)「MB85AS8MT」。此款全球最高密度的ReRAM量產產品由富士通與松下電器半導體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(2)合作開發,將於今年(2019) 9月開始供貨。
 
MB85AS8MT是採用SPI介面並與電子抹除式可複寫唯讀記憶體 (EEPROM) 相容的非揮發性記憶體,能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓範圍運作,其一大特色是極低的平均電流,在5MHz工作頻率下僅需0.15mA讀取資料,這讓需透過電池供電且經常讀取資料的裝置能達到最低功耗。MB85AS8MT採用極小的晶圓級晶片尺寸封裝 (WL-CSP),所以非常適用於需電池供電的小型穿戴裝置,包括助聽器、智慧手錶及智慧手環等。
 
富士通提供各種鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)(3) 產品,能提供比EEPROM與快閃記憶體更高的耐寫次數與更快的寫入速度。富士通的FRAM產品以最佳的非揮發性記憶體聞名,尤其是需要非常頻繁記錄及保護寫入的資料以避免突然斷電時導致資料遺失。但同時,也有些客戶提出需要較低電流讀取運作的記憶體,因為他們的應用僅需少量的寫入次數,卻極頻繁地讀取資料。
 
為滿足此需求,富士通開發出新型態的非揮發性ReRAM記憶體「MB85AS8MT」,兼具「高密度位元存取」及「低讀取電流」的特色。其為全球最高密度的8Mbit ReRAM量產產品,採用SPI介面、支援1.6至3.6伏特的廣泛電壓,且包含指令與時序在內的電氣規格都相容於EEPROM產品。
 
「MB85AS8MT」最大的特色在於即使擁有超高密度,仍能達到極小的平均讀取電流。例如,在5MHz的工作頻率下,平均讀取電流為0.15mA,僅相當於高密度EEPROM元件所需電流的5%。
 
因此,在需要透過電池供電的產品中,像是特定程式讀取或設定資料讀取這類需要頻繁讀取資料的應用中,透過此記憶體的超低讀取電流特性,該產品即能大幅降低電池的耗電量。
 
除了提供與EEPROM相容的8針腳小外形封裝 (SOP) 外,還可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP,適用於裝設在小型穿戴裝置中。
 
高密度記憶體與低功耗的MB85AS8MT採用極小封裝規格,成為最適合用於需以電池供電之小型穿戴裝置的記憶體,像是助聽器、智慧手錶及智慧手環等。
 
 
註:
  1. 可變電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM):為非揮發性記憶體,藉由電壓脈衝於金屬氧化物薄膜,產生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其製程化繁為簡,由兩電極間簡易金屬氧化物架構組成,使其同時擁有低功耗和高寫入速度的優點。
  2. 鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體,即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性,並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀寫週期的優點。富士通自1999年開始生產FRAM,亦稱為FeRAM。

 
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