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DRAM 大廠必須發展其他事業脫離虧損

關鍵字:DRAM;(快閃記憶體 flash memory)
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科技產業資訊室 (iKnow) - Denise 發表於 2005年8月3日

隨著記憶體大廠相繼公佈 2005 年第二季財報,南韓的三星電子與海利士分別以 1072.1 百萬美元與 232.4 百萬美元獲利.而美光、英飛凌與爾必達則分別呈現不同等級的虧損.

表一 記憶體大廠獲利情況

單位:百萬美元

04 Q2

04 Q3

04 Q4

05 Q1

05 Q2

Samsung

2094.5

1896.7

1556.5

1304.1

1072.1

Hynix

609.4

516.6

181.4

308.5

232.4

Micron

90.9

93.5

154.9

117.9

-127.9

Infineon

-67.3

52.88

170.66

-137.01

-288.43

Elpida

20.5

37.4

30.2

-14.9

-29.4

* Elpida 以 1  美金等於   112.31  日圓換算

Source : 各公司,財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心, 2005 年 7 月

根據美林證券估計, 2005 年第二季 NAND 型快閃記憶體的市場情況中,三星電子以 57% 出貨量市場佔有率排名第一,東芝以 21% 居於第二,海力士以 12% 居於第三位, SanDisk 以 6% 居於第四位,可見得目前 NAND 型快閃記憶體仍舊由這四大廠商所把持.

也就是在此前提之下,三星與海力士搶得先機提早轉換產能,切入 NAND 型快閃記憶體市場,因此得以安然度過 DRAM 價格跌價的損失,所以第二季交出小賺的成績單.然而美光、英飛凌與爾必達卻由於遲遲未能順利進軍 NAND 型快閃記憶體市場,再加上遭受 DRAM 價格大跌的衝擊,蒙上賠錢的陰影.

與美光、英飛凌慘不忍睹的虧損情況相較,三星與海力士這兩家南韓記憶體業者持續實現獲利關鍵,在於提早重新配置 DRAM 與快閃記憶體的產能,在多元化產品組合策略運用下,在標準型 DRAM 價格跌價之際,儘早投資設備改換生產線,以最少的投資挹注,切入高度獲利的 NAND 型快閃記憶體生產。

美林證券報告顯示,就晶圓產能而言,海力士僅屈居第二,有 17% 產能市場佔有率,位在三星 54% 之後,就連 NAND 型快閃記憶體大廠東芝(只有 16% )亦飽受海力士產能開出的威脅.

虧損累累的美光已宣佈,將自 2005 年第三季起旗下 12 吋廠正式加入量產 NAND 型快閃記憶體,且導入 90 奈米製程,預期將可大幅節省生產成本。至於,爾必達將往非標準 DRAM 事業發展.英飛凌則則期待往 MRAM 與 FeRAM 等記憶體方向發展.( 729 字)


 
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