資料來源：經濟部技術處
發佈日期：2006/03/16
|
全球無線及光纖通訊發展趨勢已由低頻轉為高頻，由窄頻轉為寬頻，使得需要高速影像及資料傳輸的通訊市場出現飛躍性的成長，而高頻元件主要都使用III-V族半導體，加以光電元件及高亮度 LED 等產業需求激增，III-V族半導體產業市場規模也不斷擴充。自Intel成功地推出迅馳 (Centrino) 無線晶片組，帶動全球 802.11g 之 WLAN 網卡成為 Notebook之基本配備後，已全面啟動III-V族半導體砷化鎵 (GaAs) 晶圓應用於無線產品，而其中所使用的關鍵零組件正是III-V族半導體晶片。
「III-V族」半導體（又稱化合物半導體，Compound Semiconductor）發展已數十年，以往的應用偏重於軍事及太空用途，發展至今，砷化鎵晶圓的應用已涵蓋衛星通訊、手機、無線區域網路WLAN、LED 等產業，其中以手機的需求量最高，也是現階段市場成長的主要動力。2004年全球無線通訊砷化鎵 IC 市場規模約為15億美元，預估2006年全球砷化鎵 IC市場規模將成長至21億美元。
經濟部技術處看好通訊產業的未來遠景，兩年前即促成業者共同藉由研發聯盟方式進行相關技術開發，以「III-Ⅴ族半導體前瞻製程與設備技術整合發展計畫」積極推動台灣III-Ⅴ族半導體產業的發展，現階段聯盟參與的廠商計有穩懋半導體、宏捷科技、志聖工業、均豪精密、東捷科技等5家公司。該計畫的執行目標在於垂直整合晶圓廠與設備廠的供應鏈，使晶圓廠可充分掌握先進製程技術，而不必培育設備人力，營運成本降低；而設備廠則可從制定規格至 β-site 測試全程參與；如此可有效地把晶圓廠及設備商綁在一起、相輔相成，共同提昇國內 III-V 族半導體產業的自主技術能力與市場。 |
該計畫執行至今，已不斷創造豐碩的研發成果。例如宏捷科技發展的低溫蝕刻製程技術，搭配通過該公司嚴苛 β-site 測試由嵩展公司所開發的低溫濕蝕刻設備，已大幅提升產能增加為原來的9倍，促使宏捷科技成為台灣第一家製造砷化鎵異質介面雙極電晶體 (GaAs HBT)的晶片代工廠，也是同業中唯一通過手機功率放大器全球領導廠商 SKYWORKS 的認證，去年已陸續量產出貨，製程技術與產品品質均達世界級水準。另外穩懋半導體公司亦經由本科專計畫的支持，致力於高電子遷移率變形式電晶體製程技術開發，現今該公司已成為全球首座以六英吋晶圓生產砷化鎵微波積體電路 (GaAs MMIC) 的專業晶圓代工廠，將產品特性提昇至下一世代。
藉由北穩懋、南宏捷這兩家晶圓廠以母雞帶小雞的引導，志聖公司發展的快速昇溫加熱設備、高密度離子蝕刻設備等，延伸技術也應用於高溫Hot-Plate設備，迄今已新增2千萬產值。均豪公司發展的III-Ⅴ族半導體封裝 Die Bonder 關鍵技術應用，在LED與IC Die Bonder已售出40餘台，新增銷售值超過7千萬元。東捷公司發展的III-Ⅴ族半導體元件 Handler & Tester整合技術，在技術擴散效益上也已有近億元的營運績效產出。
III-V族半導體產業研發聯盟廠商正持續致力於發展前瞻製程與設備技術的整合，預期在2006年底計畫完成後將可促進投資至少 12 億元，未來直接或衍生產值將可達 88 億，可使我國成為世界III-V族半導體製程技術領先國與設備生產重鎮。目前經濟部正致力推動「設備國產化」，國內設備商把握此大好時機，將為國內設備產業的發展再創新局。(1376字)
新聞稿聯絡人：經濟部技術處陳怡如研究員 電話：23212200轉164
新聞媒體窗口：經濟部技術處許苑娥研究員 電話：23212200轉147
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------