台積電目標於2015年將14奈米帶入量產階段

根據台積電的規劃，28奈米製程產品已開始試產，而且交貨的產品都是完整功能的產品。一旦試產順利，預計2012年初28奈米製程即可上路。至於20奈米製程技術，以目前研發的進步來看，預計於2012年第三季底才會進入量產，而真正具實質影響力也要等到2013年了。

至於更重要的14奈米製程，台積電預計在2012年初決定採用技術的決定，之後才會進入實質的研發。所以預計2015年才會進入量產階段。這比起英特爾的2013年還要晚了兩年的時間。到了2015年時，英特爾則會將半導體製程技術帶入10奈米時代。

14奈米製程的技術，目前由於極紫外光微影製程（EUV）或多電子光束無光罩微影技術（multiple-e-beam maskless lithography；MEB）都有其缺失，因此暫時很難下決定採用何種技術。

根據台積電表示，目前極紫外光微影製程機台效率不如預期。理想上，其每小時能夠產出100片晶圓，但是現在每小時只能產出5片晶圓，與預期相差太大，能有改善空間。至於多電子光束無光罩微影技術，由於一個動作要重複曝光2次，因此產量效率就會降低一半，這當然影響到成本，甚至會讓客戶不願意導入新製程。所以現在談14奈米製程技術最終會採用哪一個，疑問還很多。

畢竟，一旦決定採用極紫外光微影製程或多電子光束無光罩微影技術的其中一個技術，之後的製程技術都要沿用，因此台積電不得不審慎評估。也就是說，10奈米製程技術於2014年就會決定沿用14奈米微影技術的選擇，如果到時候兩種技術都不成熟，則半導體微縮的藍圖就變得相當複雜，這也會讓半導體的未來變得更不可預測。

此外，台積電原本計畫將於2015年採用18吋晶圓廠，但是在設備機台無法達到要求之下，很可能延後相關計劃。不過，英特爾預計2012年可測試18吋晶圓，並於2013年設備準備好後開始興建，並於2015年第一次試產18吋晶圓。是不是真的會如此，還是要看設備機台的成熟度而定。（843字）

圖一、台積電28奈米之技術組合

Source : TSMC，2011年8月