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根據市場研究機構 Gartner 研究, 2010 年全球半導體資本設備支出將超過 354 億美元,比起 2009 年的 166.1 億美元,年成長率達 113.2% 。不過,接下來要留意的是 2011 年半導體市場的成長速度將開始放緩。根據 Gartner 預估, 2011 年半導體資本設備支出的成長率將只剩下 6.6% 。
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其實, 2010 年半導體資本設備市場的成長的主要原因是因為產業技術升級的緣故。尤其是全球半導體廠商對 40 奈米與 45 奈米設備的需求大幅增加,進而帶動晶圓代工的龐大資本支出。此外,英特爾對於 3x 奈米技術用在 NAND 型快閃記憶體生產的增加,也讓其投資在資本設備之上。而 DRAM 市場,從 DDR2 轉移至 DDR3 進一步造成 DRAM 廠商的資本設備支出。
圖一、全球半導體資本設備支出營收預估
單位:百萬美元
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2009
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2010
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2011
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2012
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2013
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2014
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Semiconductor Capital Spending
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25,876.3
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47,495.3
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54,079.6
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58,273.8
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51,735.6
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49,399.1
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Growth (%)
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-41.2
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83.5
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13.9
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7.8
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-11.2
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-4.5
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Capital Equipment — Includes Test
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16,606.1
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35,412.3
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37,732.3
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40,822.7
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34,881.9
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34,619.7
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Growth (%)
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-45.8
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113.2
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6.6
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8.2
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-14.6
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-0.8
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Wafer Fab Equipment
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12,747.7
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27,188.3
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29,132.4
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32,984.0
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29,325.9
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28,446.1
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Growth (%)
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-47.4
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113.3
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7.2
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13.2
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-11.1
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-3.0
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Packaging and Assembly Equipment
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2,708.5
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5,544.0
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5,581.8
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4,995.6
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3,437.6
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3,879.3
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Growth(%)
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-32.3
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104.7
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0.7
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-10.5
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-31.2
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12.9
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Automated Test Equipment
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1,149.8
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2,680.0
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3,018.1
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2,843.0
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2,118.5
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2,294.3
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Growth (%)
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-53.0
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133.1
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12.6
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-5.8
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-25.5
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8.3
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Other Spending
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9,270.2
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12,083.0
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16,347.3
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17,451.1
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16,853.7
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14,779.4
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Growth (%)
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-30.7
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30.3
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35.3
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6.8
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-3.4
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-12.3
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Source :Gartner , 2010 年 6 月
因此,除了資本設備支出成長 113.2% 之外,晶圓製造設備也加大成長率。根據 Gartner 預估, 2010 年晶圓製造設備方面的支出,就從 2009 年的 127.5 億美元成長至 2010 年的 271.9 億美元,年成長率高達 113.3% 。
以較長的時間來看,由於 2008 年至 2009 年全球經濟風暴影響,使得半導體製造設備在過去兩年的投資相對卻步,所以也導致了半導體業對設備的需求明顯在 2010 年開始增強。
根據 Gartner 預估,半導體產業整體產能利用率會在 2010 年第三季達到最高峰,之後隨著產能的提高,設備市場成長力道就會開始緩慢的減弱,而慢慢回到正常的水準。
另外,根據國際半導體設備材料產業協會( SEMI )發布 SEMI World Fab Watch 報告顯示, 2010 年晶圓廠的支出將比 2009 年還要成長 117.4% ,支出金額可達 355.14 億美元。其中,對於 LED 晶圓廠資本支出成長最為驚人,預估 2010 年與 2011 年兩年之產能,將分別成長 33% 和 24% 。
國際半導體設備材料產業協會也認為, 2011 年晶圓廠的支出也將開始放緩成長速度,相對於 2010 年成長率達 117.4% , 2011 年將只有成長 18.4% ,支出金額為 420.35 億美元。
基本上,國際半導體設備材料產業協會認為 2010 年半導體設備市場的成長力道主要來自晶圓代工以及記憶體大廠的強勁資本支出,這個看法與 Gartenr 不謀而合。而進入 2011 年之後,全球半導體設備支出則以維持穩健成長為主。且應不致出現劇烈震盪的情況。不過,若產能無限制的擴張下去,則很有可能將會在 2013 年提早進入產業衰退期。( 799 字)
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