推動投資 提升我國半導體產業優勢能量

資料來源：中華民國經濟部工業局
發佈日期：2008/02/13

2007年我國半導體產業成績斐然

回顧2007年，我國半導體產業在完整的專業分工體系的有效運作，輔以12吋晶圓廠產能及成本效益發酵等助力推進下，使得我國2007年半導體產業整體產值預計可達新台幣15,535億元的新高水準，較前(2006)年成長11，優於全球的2.3成長率，成績斐然。再者，政府亦積極推動外商來台投資，並協助廠商參與國際技術標準組織，透過與國際大廠策略聯盟，拓展新興市場，以此等作為來深化我國半導體產業價值鏈，強化全球佈局，以鞏固我國半導體產業在全球之領先地位。

12吋廠建構新世代競爭優勢

面對當前全球半導體產業的快速變動與激烈競爭，廠商若能掌握成本優勢，就可有效提升本身的市場競爭力。以DRAM製造廠商為例，擁有較高比重12 吋晶圓廠之DRAM 業者即因產品單位成本的降低，而有較高之獲利能力。我國DRAM大廠如力晶半導體(PSC)、茂德科技(ProMOS)之產品採用12 吋廠的比重均高於國際DRAM 大廠-海力士(Hynix)、美光(Micron)等，使我國廠商在市場上的競爭力更加提升。因此，12吋晶圓廠的建置，遂已成為當前全球半導體製造廠商提升競爭優勢之重要發展策略。而我國政府在近幾年，也大力推動12吋晶圓廠之建置，使得12吋晶圓廠已成為我國半導體產業的新競爭優勢。此外，為提升我國在全球半導體產業的競爭能量，持續創造經濟成長動能，除了建構更良好的產業發展環境外，政府更全力協助廠商排除投資障礙(如土地、水電等基礎建設的提供)，以鼓勵國內外廠商持續在台投資。例如，為滿足國內半導體廠商之投資需求，政府相關單位全力協助解決竹科園區三五路的土地徵收案，以促成台積電(TSMC)、力晶(PSC)及世界先進(Vanguard)，得以順利取得建廠用地。展望未來，在所有建置及規劃中之12吋晶圓廠產能陸續到位後，我國將可望成為全球12吋晶圓廠產能最大之國家，若再結合我國廠商成本控制與製程管理等產業優勢，必能有效提升我國半導體產業因應競爭日趨嚴峻之全球市場的競爭優勢。

引進外商投資厚植產業能量

除了前述之製造能力之外，由於半導體技術不斷推進，使得製程技術的掌握，也成為左右市場競爭力之主要因子。而我國晶圓代工製程技術於2007年已下探至45奈米製程，我國DRAM廠商亦已導入70 奈米製程，未來甚至將下探至58奈米。因此，未來我國半導體產業也可望在製程技術所具備之技術優勢引領下，吸引國際廠商來台投資，或與我國廠商共同合作投入更先進技術的研發。譬如，日本光罩大廠大日本印刷（Dai Nippon Printing；DNP）因為看好我國IC製造業製程微縮之潛在市場能量，於2007年宣布在台設廠生產65奈米光罩，總投資額約新台幣60億元，預計2008年9月開始量產；另外，在政府長期耕耘及努力之下，不僅順利推動由全球第2大矽晶圓供應商日本SUMCO TECHXIV合併小松電子後所成立之台塑勝高科技，於2005年來台（雲林麥寮）設立台灣第1座12吋矽晶圓長晶廠，本局並主動協助台塑勝高科技解決第2期擴廠用水不足之問題。有鑑於此，日本SUMCO TECHXIV亦宣布將持續加碼投資台灣，預計2009年將再興建第2座12吋長晶廠。政府此等作為與努力，不僅促使我國的半導體產業鏈更加完整，亦能充分供應我國半導體製造廠商12吋晶圓廠之關鍵上游原物料，更鞏固我國半導體產業在全球之的領先地位。

掌握全球產業趨勢推升我優勢地位

在全球半導體產業庫存逐步調整之際，許多國際整合元件製造廠(IDM)已經開始進行資產輕減的計畫，使得全球整合元件製造廠趨向「輕晶圓廠」（fab-lite ）經營策略，其中，包括德儀(TI) 已將45 奈米以下製程轉與台積電、聯電合作，恩智浦(NXP)、意法半導體(STMicroelectronics)、英飛凌(Infineon)、SONY等大廠，則開始縮減產能、擴大委外代工。另一方面，鑑於終端產品對於高效能與節能的需求，也將促使半導體產業持續朝向「製程微縮」與「高度系統整合」兩大技術趨勢發展。台灣半導體廠商如能充分運用我國製程管理優勢，掌握前述之全球產業發展走勢的商機，藉以強化與美、日、歐廠商的聯盟關係，以提升全球地位及市場占有率，如此將為我國半導體產業發展注入一股新的成長動能。綜觀2008年，雖然全球整體景氣發展可能趨緩，但我國半導體產業無論是在資本支出或與國際大廠之合作等方面，依然積極發展、全力推進，且可望再次挑戰新的產值高峰。本局未來亦將持續掌握國內廠商需求，推動國外廠商與台灣業者的合作，促進國內外半導體廠商持續在台投資，以厚植產業發展動能，進而推升我國在全球半導體產業價值鏈中的優勢地位。