Intersil Corporation是全球高效能類比暨混合訊號半導體設計與製造商，公司於1999年8月成立，是Harris公司的子公司。Intersil 公司充分利用它從Harris、GE Solid State 和RCA所繼承的IP智慧資源。產品應用於：平面顯示器、行動電話、筆記型電腦，以及其他手持系統。品。目前，Intersil 公司的技術優勢：無線網路市場、電源半導體市場。
快閃記憶體廠商超捷(Silicon Storage Technology)2005年12月宣佈與三星電子(Samsung)雙方已簽署一項新的技術授權協議，該協議將為三星提供先進的深次微米嵌入式快閃記憶體技術。根據該協議，三星取得授權使用超捷的超快閃(SuperFlash)技術，並將其應用於三星130奈米技術節點中的高容量、高密度的嵌入式快閃記憶體和ASIC產品。
近十年來Intersil也面臨與科技廠商的許多專利訴訟，請參考下圖：半導體晶片廠商Intersil 專利訴訟。
近日發生訴訟於2010年4月9日快閃記憶體廠商超捷(Silicon Storage Technology) 在美國北加州聯邦地院，向電源管理模組晶片廠商Intersil及Xicor這兩家公司提出專利US RE38370之不侵權及專利確認之訴。
本案緣起於2010年3月8日Intersil率先提告超捷侵犯了該件專利US RE38370。
表一、專利訴訟案件基本資料：超捷 提告 Intersil專利侵權
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訟案名稱
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Silicon Storage Technology, Inc. v. Intersil Corporation et al
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提告日期
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9-Apr-10
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原告
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Silicon Storage Technology, Inc.
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被告
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Intersil Corporation and Xicor LLC
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案號
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3:2010cv01515
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訴訟法院
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California Northern District Court
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主審法官
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Joseph C. Spero
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訴訟屬性
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Intellectual Property - Patent
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案由
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Declaratory Judgement
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陪審團提訟者
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Plaintiff
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系爭專利
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US RE38370
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專利標題
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Deposited tunneling oxide
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爭議產品
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訴狀下載
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Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2010/04。
(560 字；表1；圖1)
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