東芝將於2012年量產25奈米以下NAND Flash

東芝預計於2010年7月動工興建的NAND型快閃記憶體新廠，將座落於日本四日市附近，量產時程為2011年秋天。未來產能將供應給手機及數位相機等產品所需的NAND型快閃記憶體。

圖一、NAND型快閃記憶體市場值

Source :iSuppli，2010年3月

這個計畫原本是規劃在2009年春天動工興建，但是當時全球經濟遇到金融風暴，加上終端需求突然減弱，使得這項計畫在當時遭到擱置。根據許多分析報導，2010年新興國家的手機市場將不斷成長，加上採用NAND型快閃記憶體的智慧型手機成長率不斷提高，所以東芝決定解凍這項計畫，期望能快速趕上三星電子在NAND型快閃記憶體的產能。

根據東芝規劃，2010年4月至2011年3月半導體事業的設備投資額預估將比上年度倍增，預計可達2千億日圓的規模。而其中8成資金將用於NAND型快閃記憶體。

除了擴廠計畫之外，東芝還預計於2012年開始量產20奈米的NAND型快閃記憶體。為了達到此目標，初期將在2010年內先行投入150億日圓在四日市工廠的第四廠房新建試作生產線。

目前NAND型快閃記憶體主流製程為45奈米與32奈米，可是為了讓其產品更具競爭力，往更高階的製程邁進是必須的選擇。因此為了跨入新一代製程，東芝必須進行技術升級，並購買新的設備。

根據研究發現，如果要製造25奈米以下製程的晶片，則必須使用較短光波的極紫外光微影技術。所以東芝已經向荷蘭半導體微影系統大廠ASML訂購相關設備，以讓其能在2010年的夏天正式進入試產階段。

東芝計畫量產的25奈米以下等級產品將廣泛應用在手機、個人電腦、數位相機等NAND型快閃記憶體之中。甚至有分析師認為，一旦iPad的銷售量真的能在 2010年創造高銷售量的話，則對於固態硬碟所採用的NAND型快閃記憶體市場也有所幫助。而以先進製程製造的NAND型快閃記憶體，將能加速許多PC業者採用更多固態硬碟的機種。（782字）