新聞：（2008年4月7日電子時報- 三星破天荒跨海投資台IC設計公司 對擎泰持股達20％ 牽動全球NAND Flash陣營版圖）南韓記憶體大廠三星電子(Samsung Electronics)首度跨海投資台系IC設計產業，NAND型快閃記憶體(Flash)設計公司擎泰雀屏中選，這將是2008年NAND Flash產業和台IC設計產業重大盛事。[1]
評析：
這個新聞源頭是從2008年3月28日「擎泰科技修訂董事會決議私募普通股事宜」[2]公告而來，擎泰科技公告董事會決議，將私幕不超過1.8萬千股（1.8萬張股票），用途為「為公司長遠營運發展，充實營運資金引進策略性合作夥伴.」。今日，據電子時報報導指出，私募標的將為韓國三星電子。
從擎泰科技2006年年報觀察[3]，擎泰科技（Skymedi Corporation）法人股東有三，包括金士頓（Kingston）之10.51%（4,320張）、英特爾（Intel）之8.88%、啟達投資（廣達子公司）之3.54%。若三星（Samsung）透過本次私募案，吃下全部私募額度（約1萬張），三星將躍升成為第一大法人股東，持股比例約佔20%。
果真三星入股擎泰科技成真，台灣NAND Flash產業富爸爸效應將持續發燒，而台廠設計公司在NAND Flash產業也將越趨鞏固。
從專利申請情形來看，擎泰科技現有台灣專利數為0。美國核准專利數為6，早期公開專利數為8，早期公開專利中扣除已核准公告後專利數為6。中國專利申請數為1。合計到2008年4月7日止，共有6件核准專利，以及6件尚在申請中專利。上述專利申請年分別從2004年到2006年。擎泰科技美國核准之6件專利如表一所示。
擎泰科技之核心人物（Key Man）為熊福嘉博士。熊福嘉現為擎泰科技公司董事長兼總經理，為Stanford電機博士，先前為旺宏電子副總，現持有擎泰科技公司股票1,784張，為最大個人股東。
熊福嘉（Shone; FUJA OR Shone; FU-CHIA）於旺宏電子期間取得專利有9件，申請年分別從1992年到1999年。9件專利中有3件分別於1996年與1997年於美國進行布局。熊福嘉於旺宏電子期間所取得之9件中華民國專利如表二所示。
此外，由研發路徑圖（Technology Roadmap）與策略布局（R&D Strategy）來看擎泰科技[4]，三星看中擎泰科技除了其已經累積之核心能量外，應也包括該公司在多媒體儲存領域之積極布局與規劃。最後，在三星宣布入股擎泰科技後，顯然2008年NAND Flash產業競爭與合作將更佳激烈，而台廠設計公司動態也將越趨重要。。(1270字；表2)
| 表一、擎泰科技美國核准之6件專利 |
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Paptent #
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Pub. Date
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Filed Date
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Title
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US7324402
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2008-01-29
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2006-08-07
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Flash memory structure
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US7313029
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2007-12-25
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2006-04-07
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Method for erasing flash memories and related system thereof
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US7163863
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2007-01-16
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2004-06-29
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Vertical memory cell and manufacturing method thereof
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US7145802
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2006-12-05
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2004-08-31
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Programming and manufacturing method for split gate memory cell
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US7126188
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2006-10-24
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2004-05-27
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Vertical split gate memory cell and manufacturing method thereof
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US7033890
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2006-04-25
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2005-05-27
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ONO formation method
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Source: 科技政策研究與資訊中心--科技產業資訊室，Delphion，2008/04。
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| 表二、熊福嘉於旺宏電子期間所取得之9件中華民國專利 |
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專利號
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公告日
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申請日
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專利名稱
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TW399339
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2000/7/21
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1999/1/15
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用以預先程式化浮置閘記憶體裝置之福勒–諾得漢（Ｆ–Ｎ）隧穿
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TW392156
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2000/6/1
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1997/3/22
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利用控制能階轉移穿透電流之快閃記憶體資料清除方法
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TW382710
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2000/2/21
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1996/9/18
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一種具有軟式寫入演算法則之浮動閘極記憶體積體電路
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TW358975
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1999/5/21
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1997/12/13
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三位阱浮置閘記憶體以及隔音通道程式，預程式及清除的操作方法
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TW348319
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1998/12/21
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1995/4/14
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快閃式非揮發性記憶體電晶體陣列與製造方法
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TW315469
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1997/9/11
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1996/9/19
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具有終止程式載入週期協定的浮動閘極記憶體裝置
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TW306068
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1997/5/21
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1995/4/25
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快閃式ＥＰＲＯＭ之結構
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TW225602
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1994/6/21
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1993/12/29
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快閃電性可程式唯讀記憶體的抹除程式規劃及預程式規劃電路設計
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TW217469
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1993/12/11
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1992/4/28
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非揮發性記憶體與陣列結構
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Source: 科技政策研究與資訊中心--科技產業資訊室，TWPAT，2008/04。
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參考資料：
- http://www.digitimes.com.tw/
- http://news.yam.com/cnyes/fn/200803/20080327990648.html
- http://www.skymedi.com.tw/
- http://www.skymedi.com.tw/chinese/2008skymedi/b1.html
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