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根據市場研究機構iSuppli統計,2007年第三季NAND型快閃記憶體營收將可達41.70億美元,比起2007年第二季的30.43億美元,成長率達37.1%。而比起2006年同期的30.45億美元,成長率亦達37.0%。
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其中,表現最為強勁的三家廠商分別是海力士、美光與英特爾。在海力士方面,2007年第三季的NAND型快閃記憶體營收達8.06億美元,比起上一季的4.5億美元,以及去年同期的5.65億美元,成長率分別為79.1%與43%。
美光則在IM Flash的加持下,每季均呈現高度成長的態勢。2007年第三季NAND型快閃記憶體營收達2.85億美元,比起上季的1.63億美元與去年同期的9,200萬美元,都有明顯的進步!市場佔有率也接近7%了。
表一 NAND型快閃記憶體營收市場佔有率情況
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單位:百萬美元
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3Q07營收
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3Q07市場佔有率
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2Q07營收
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季成長率
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3Q06營收 |
年成長率
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三星
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1,675.0
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40.2% |
1,382.0
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21.2%
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1,318.0 |
27%
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東芝
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1,132.2
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27.2%
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827.5
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36.8%
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849.0 |
33%
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海力士
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806.0
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19.3%
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450.1
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79.1%
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565.0 |
43%
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美光
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285.4
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6.8%
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162.6
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75.5%
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92.0 |
210%
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英特爾
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132.0
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3.2%
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89.3
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47.9%
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41.0 |
222%
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意法半導體
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91.0
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2.2%
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69.7
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30.6%
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40.0 |
128%
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瑞薩
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46.3
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1.1%
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59.3
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-21.9%
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128.0 |
-64%
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奇夢達 |
2.0 |
0% |
2.0 |
0% |
12.0 |
-83% |
總計
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4,169.9
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100.0%
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3,042.5
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37.1%
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3,045.0 |
37.0%
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Source :iSuppli,科技政策研究與資訊中心(STPI)整理,2007年11月
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英特爾同樣在NAND型快閃記憶體方面表現良好!2007年第三季NAND型快閃記憶體營收達1.32億美元,比起上季的8,930萬美元與去年同期的4,100萬美元,成長率分別為47.9%與222%。
至於排名第一的三星電子則持續降低其市場佔有率。從第二季的45.4%跌落至第三季的40.2%。第二名的東芝則維持其市場佔有率在27.2%。
跟同樣是記憶體的DRAM比較,DRAM於2007年第三季呈現14%的衰退,NAND型快閃記憶體卻以37%的成長率持續成長中。主要原因是NAND型快閃記憶體百萬位元單位出貨量成長率達31%,且百萬位元之ASP也成長5%。
iSuppli預估第四季NAND型快閃記憶體百萬位元單位出貨量成長率達37%,但是百萬位元之ASP卻衰退18%,因此NAND型快閃記憶體產業於第四季的表現絕對不會像第三季如此亮眼。(723字)
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