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為了不讓三星與海力士專美於前，最近無論是東芝或者美光都相繼對於NAND型快閃記憶體的擴產也了新的動作。東芝近期透露第五座NAND型快閃記憶體新廠（Fab 5）設置地點可能會在海外。而美光將會在2007年度投入35億美元鉅資做為擴充NAND型快閃記憶體設備。
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三星與海力士均證實將投資10.2億與13億興建記憶體生產線，在此同時，東芝與美光也不在沉默。
東芝與快閃記憶卡大廠美商新帝先前合資52億美元興建日本四日市Fab 4廠，新廠名為Flash Alliance，預期Fab 4廠月產能為10萬片晶圓，將在2007年第四季投產。東芝預期在2009年之前，Fab 4廠的產能將不會達到滿載階段，而2家策略聯盟夥伴目前正積極規劃新廠Fab5的設置地點。
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表一 各廠投資NAND型記憶體情況
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廠商
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近期動作
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三星電子
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將投資9,800億韓圜(10.2億美元)，興建第14條及第15條NAND生產線。
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海力士
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將在NAND生產線投資13億美元。
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東芝與新帝
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合資52億美元建Fab4，現在在尋覓Fab5地點
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美光
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2007年將投資35億美元於NAND型設備
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Source :科技政策研究與資訊中心（STPI）整理，2006年9月
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美光與英特爾所共同出資成立的IM Flash記憶體公司，雖屬於NAND型快閃記憶體市場的後進者，不過，IM Flash對於NAND型快閃記憶體企圖心並不輸給三星、海力士、東芝，除了在製程技術上的全力挺進外，同時在產能擴充上亦不落人後。美光預計在2007年投入35億美元就是證明。
IM Flash雖在90奈米製程世代上輸給三星、東芝、海力士，不過，為能跟上幾家NAND型快閃記憶體大廠步伐，IM Flash更一舉將製程技術直接跨入50奈米製程，至於在產能上，雖說目前仍採美光及英特爾自有廠房，不過，根據日前IM Flash對外公開資料顯示，至2008年底或2009年初，IM Flash自有的12吋廠將正式進入量產階段。
從近期幾家NAND型快閃記憶體一線廠商對於投資擴產絲毫未見手軟，可見得未來NAND型快閃記憶體還可以獲得更多市場與產品的採用。（743字）
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