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目前全球大型DRAM廠中，引進DRAM與快閃記憶體兩大業務已是趨勢，最好的例子是三星電子、海利士與美光．一方面，兩者製程能相互轉換，可減少DRAM景氣起伏劇烈的產業特性影響；二方面，在消費性產品搭載快閃記憶體應用日漸廣泛，龐大商機更讓業者躍躍欲試．
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台灣DRAM廠商當中，除了力晶，包括南科、茂德等都磨刀霍霍，有意投入快閃記憶體領域．
| 表一 台灣DRAM切入快閃記憶體情況 |
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公司
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時間
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力晶
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以53億買下旺宏12吋廠，共同進行90奈米以下快閃記憶體先進製程合作
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2006/01
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為瑞薩代工1Gb產品，每月規模5千片
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與瑞薩簽訂1Gb Flash技術移轉
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2006/01
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與瑞薩簽訂4Gb Flash技術移轉
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2006/06
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為瑞薩代工產能提高至每月一萬片
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南科
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內部評估切入Flash生產
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2006/03
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當DRAM之佔有率突破10%之後，再切入．預計2008年
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茂德
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內部評估12吋切入Flash生產
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2006/01
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2007年上半年1Gb試產，2008年進入量產
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| Source :經濟日報，科技政策研究與資訊中心（STPI）整理，2006年6月 |
其中，茂德隨著中科12吋廠開始進入生產行列，內部人員正在評估以12吋廠切入NAND型快閃記憶體的可能性．目前預計最快會在2007年上半年開始試產1Gb的NAND型快閃記憶體，而於2008年正式進入量產．而南科規劃是在DRAM產業之全球市場佔有率達10%之後，最快2008年才打算切入．
力晶目前雖還並不是全球最大DRAM廠，不過以其追趕國際DRAM大廠速度來看，不難發現力晶過去不斷宣示其在DRAM市場決心與努力．數日之前，力晶宣示要成為全方位的記憶體供應商後，再度複製過去DRAM成功模式，希望能夠在NAND型快閃記憶體市場中佔有一席之地。
力晶發展快閃記憶體領域，是循著DRAM模式發展，由國外業者提供技術、力晶出產能。由於模式類似，可大幅縮短進入的時間。由於力晶向來以成本控制優勢取勝，加入主流規格快閃記憶體市場後，將對同業造成相當壓力，使快閃記憶體市場競爭更加激烈。（733字）
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