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資本支出一向是半導體廠商觀看未來市場成長態勢的指標，向來在資本支出不分軒輊的前2大半導體廠英特爾和三星電子，2006年出現兩極化情況，英特爾延續過去加碼投資步調，三星則一反常態縮減資本支出。為何會如此呢？
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過去幾年均大手筆撥出鉅額資本支出預算的三星，2006年卻一反常態，削減半導體資本支出達11%，著實令外界驚訝。一般研究機構認為，2006年半導體景氣將延續2005年持續向上提升，從2008年才會開始下跌，但是三星卻不是如此認為。
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表一 2006年六家廠商預計之資本支出
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2004年
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2005年
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2006年
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06/05成長率
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英特爾
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3,843
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5,800
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6,900
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19%
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三星
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4,763
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6,410
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5,701
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-11%
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海利士
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1,572
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2,154
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3,200
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49%
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台積電
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2,418
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2,700
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2,700
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0%
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東芝
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1,796
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2,005
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2,200
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10%
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力晶
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868
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935*
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1,869*
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100%
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*：1美元換32.1新台幣
Source : 科技政策研究與資訊中心（STPI）整理，2006年1月
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三星對於2006年半導體前景看法似乎相當保守，並有分析師指出，由三星投資態度顯示近期業界對於2006年景氣預期太過樂觀。真的是如此嗎？
反之，英特爾2006年1月17日公佈2006年資本支出將追加19%，從2005年58億美元提高至2006年的69億美元。由於英特爾未來幾年都將以平台策略進攻市場，所以持續投入65奈米製程和12吋廠升級計畫將是保持其優勢的必備條件。至於，三星在歷經NAND型快閃記憶體的成果之後，突然縮手是否害怕NAND型快閃記憶體價格下跌造成損失呢？
目前來看，預計投入NAND型快閃記憶體的廠商海力士、東芝都以加碼投資的態勢搶進NAND型快閃記憶體。
至於台灣DRAM業者力晶除了宣佈2006年資本支出將倍增至新台幣600億元，換算約達18.7億美元，在全球半導體廠2006年資本支出排名中，可望擠進前6名之外，也宣布與旺宏簽署了備忘錄，旺宏將於2006年4月1日將晶圓三廠、潔淨室及其附屬設備，售予力晶半導體。雙方同意在90奈米以下非揮發性記憶體與快閃記憶體製程進行合作，力晶並願意提供12吋晶圓廠產能以滿足旺宏新世代產品需求。（746字）
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