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| 隨著數位相機、智慧型手機與消費性電子產品的大量使用，非揮發性記憶體（NVM）的使用量在未來幾年將會大幅成長。一般預估，NVM在2004年產值為173億美金，到2010年將達到690億美金，NVM占全部記憶體比重也將由現階段33%成長到2010年的45%。在所有應用領域中，通訊類應用（包括手機與智慧型手機）將會是NVM需求的主要驅動力。 |
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非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory, NVM）是記憶體的一種，其特色是當電源關閉後其資訊儲存內容不會消失，因此可當成是資訊儲存元件，如同硬碟一般。
現階段非揮發性記憶體包括ROM、EPROM、EEPROM與下世代記憶體MRAM、 FRAM與OUM等。
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圖一 全球非揮發性記憶體市場產值預估
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Source: BCC 2005, 本文整理
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根據市場分析公司BCC（Business Communications Co.）最新公布的研究報告，現階段非揮發性記憶體的產值為173億美元，並且預期會以年平均成長率（AAGR）31.8%的速度成往上攀升，預估到2010年時，相關產值將超過690億美元，並且非揮發性記憶體占全部記憶體的比重也將由現階段的33%攀升到2010年的45%。
一般認為，非揮發性記憶體主要受到下列相關因素影響：
- 受到數位電子產品的普及，對於記憶體的需求往輕薄短小的方向前進，並且會增加相關記憶體的密度。
- 新興記憶體，包括MRAM、FRAM與OUM，將會隨著技術的成熟緩慢的佔據現有記憶體市場。
- 非揮發性記憶體將會廣泛的應用到新新興應用領域與新市場，其中新應用領域包括數位相機與智慧型手機，而新興市場包括中國、印度與古巴等高度成長國家。
此外，2004年非揮發性記憶體約佔全部記憶體市場的8%左右，雖然2004年下半年受到現有記憶體通路推動不利的影響，成長幅度有些停滯，但是整體而言，整體非揮發性記憶體的成長率並未趨緩。
若細分各種非發性記憶體的產值與成長率，Flash成長速度最快。現階段Flash佔據非發性記憶體的九成市場，並且在未來五年（2005-2010）將以12.6%的年平均成長率攀升。推論其需求原因乃是因為手機、數位相機與其他相關消費型電子產品（例如MP3播放機）的大量普及。在 Flash市場中，NAND型記憶體將會緩慢的侵蝕NOR記憶體，並且EPROM與EEPROM將會因為Flash的影響而慢慢式微，並且僅存在一些低密度的應用領域。
由於奈米技術的受到重視與大量研究題目的開展，運用奈米技術在記憶體領域將會越來越加重要。現階段新興記憶體包括MRAM、FRAM、OUM、高分子記憶體（Polymer memory）、碳奈米管記憶體（carbon nanotube memory）與MEMS型記憶體等。並且一般預估，這些記憶體均極有可能成為下世代記憶體的候選人，當然國際半導體大廠，包括IBM、Intel、Infineon與Hitachi等也都加入此一戰局。
最後，在應用領域方面，通訊產品的應用將是推升非揮發性記憶體的最主要力量。在2005年，64.2% 的非揮發性記憶體是應用在消費性電子產品領域，而一般估計，到2010年時，這個領域的應用將會降到47.1%，其中主要原因乃是通訊產品的大量應用，包括智慧型手機與高階手機等，使得消費性電子的比例降低。(1142字)
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