NAND 型快閃記憶體主要是使用在數位相機、行動電話、 PDA 與智慧型行動電話的附加卡上，也就是所謂的快閃記憶卡，根據 IDC 公佈資料顯示 NAND 型快閃記憶體主要應用市場之中，快閃記憶卡約消耗了 75% 的位元數，其次是 on board 在數位相機與 MP3 播放機上之快閃記憶體。不過，隨著 on board 在相機行動電話市場的起飛，已經使得多晶片封裝類型的產品成為未來 NAND 型快閃記憶體最值得期待的應用市場。
|
圖一 DRAM 與 NAND 快閃記憶體出貨量預估 |
|
|
|
Source : 美林證券 , 2005 年 1 月 |
就在這樣的前提之下， 2004 年開始除了三星與東芝之外，其他 DRAM 廠商開始覬覦這塊油水豐厚的記憶體市場。
如果 市場競爭者一直一窩蜂蓋建快閃記憶體的晶圓廠下，則 NAND 型快閃記憶體的價格將會一路直線探底。此外，隨著數位相機、 iPod Shuffle 與照相手機等數位消費性電子產品將在 2005 年快速成長的前提下，由於加入 NAND 型快閃記憶體生產行列的廠商，都是具生產標準型 DRAM 的背景，難保 NAND 型快閃記憶體不會步入標準型 DRAM 後塵，成為殺價的天堂。
根據美林證券的預估，從 2007 年開始 NAND 型快閃記憶體的出貨量將首次超越 DRAM ，成為記憶體產業中的霸主，至 2008 年甚至拉大與 DRAM 出貨量的距離來看， NAND 型快閃記憶體的平均銷售價格將會直直落。
原本由三星電子、東芝獨佔鰲頭的 NAND 型快閃記憶體市場，在海力士、英飛凌與美光等競爭對手的積極搶灘下， 2004 年 NAND 型快閃記憶體的價格戰市況相當慘烈， 1G 的 NAND 型快閃記憶體報價由原本的 30 美元，跌到只剩 8.5 美元 。
那麼在 DRAM 產業經營多年的台灣廠商呢？長期以來，台灣廠商在專利權等因素的影響下，會受到比較多的限制。但是隨著 NAND 型快閃記憶體價格持續滑落，國際大廠將漸漸鬆綁授權機制。例如力晶已經獲得瑞薩的授權，在 2004 年時，力晶試產 1G 的 AG-AND 型快閃記憶體，經過一年的吸收經驗生產良率已經有所提升。因此一般預計在 2005 年之後，力晶將正式跨足 NAND 型快閃記憶體產業。(726字)
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------