新聞追蹤： IBM 及 史丹佛大學 ，於 2004/04/26 宣佈 成立自旋電子學的共同研發團隊。此一技術，將使未來的數位相機或電腦，能夠使開關達到隨開隨關的品質 。
IBM及史丹佛大學，將共同成立一所“自旋電子科學和應用中心”。該中心，將分設於IBM在加州聖荷西的Almaden研究園區，及史丹佛大學位於舊金山Palo Alto的校園內。
自旋電子科學（spintronics）的涵意為，控制薄膜材料中電子的自旋，主旨在能精確的控制材料所散發出來的磁場強度，利用改變磁場強度，導致材料產生電阻，再定義電阻的高低成為數位信號的1或0。依於此，研究人員能透過控制磁場，造成薄膜上不同位置的電阻有高低差異，再轉譯電阻的差異，來產生數位資訊。
‘電子自旋技術’此一名稱，源起於電子的自旋現象。
自旋電子學實際上已經存在多年，IBM在1997年利用「巨磁電阻效應技術」 ( Giant Magnetoresistive Technology；GMR )，來生產磁碟機的讀取頭，即是自旋電子特性的應用。
磁阻性記憶體(Magnetic Random Access Memory；MRAM)，有可能成為自旋電子學的下一個應用領域。理論上，MRAM儲存容量大、消耗能量低、操作速率更遠遠超過現有的快閃記憶體，並能永遠使用。
快閃記憶體大量使用於行動電話及數位相機記憶卡等設備中，其需求量的增加極為迅速。惟，快閃記憶體的基本技術，已面臨瓶頸，越來越難有所突破，幾乎所有於此一領域的主要製造商都已在檢視替代方案。因此，尋求快閃記憶體的替代技術，是半導體產業一項非常急迫的需求。
但有批評者和競爭者指稱，MRAM技術仍不成熟、尚無法成為替代品。因為，MRAM非傳統技術，且IBM尚需開發量產技術來降低成本。Intel也認為MRAM之儲存單元尺寸過大，使得它很難應用於如數位相機般這種小型設備上。也有說法認為電阻改變太大易導至資料損失，但IBM不同意此一看法。
去年6月，IBM 和Infineon共同發表研究論文，敘述MRAM晶片如何以180奈米製程完成，並能儲存128K位元的資料。兩家公司並允諾在2004年的上半年，做出更完整的MRAM展示，更預測其可於2005年開始上市。
更深入的探討，自旋電子學原理能應用於一些電晶體的開關。一位Intel的女發言人說，電晶體開關的應用已經是某些大學的長期研究領域之一，但是它要到2021年才有可能上市。
但是，MRAM的技術，仍然是有可能派得上用場。Intel研究人員最近發表一篇文章，敘述莫爾定律將在未來的幾年內進入發展的極限期，晶片設計者將無法再以縮小晶片大小來提昇晶片的性能。莫爾定律推動計算機產業，以指數函數的方式成長已經超過三十年了。
這項IBM-史丹佛計劃，也被稱為SpinAps。
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